集成电路发展现状及趋势探究

在高科技信息技术飞速发展的21世纪，集成电路的应用在我们日常生活中越来越普及。本文在分析国内外集成电路发展趋势的基础上，提出了推动国内集成电路实现跨越发展的相关措施与建议，仅供参考!

基于多价离子束流的高能量注入工艺研究

针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题,研究了一种基于二价、三价离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛选,介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法,设计了多价离子和单价离子注入的对比实验。结果表明,在注入到硅片的多价离子与单价离子总能量相等的条件下,二者注入结深一致,测试片的方块电阻差异仅为2.5%,验证了此工艺的可行性,以期达到充分发挥设备潜力、优化产品工艺的目的。