1 nm Al插入层调节NiGe/n-Ge肖特基势垒

通过引入1 nm铝作为插入层,研究了铝在调制镍与n型锗反应时对镍化锗与n型锗接触的肖特基势垒高度的影响.采用正向Ⅰ-Ⅴ法、Cheung法和Norde法分别提取了镍化锗与n型锗接触的肖特基二极管的串联电阻、势垒高度和理想因子.研究表明,在镍和锗衬底之间引入1 nm铝插入层,能够有效降低势垒高度,且其能够在350℃—450℃保持稳定.

SNS发展探析

分析了SNS定义与国内SNS市场的兴起和发展的历程,对SNS网站运营和盈利模式其进行了分析。并对今后SNS网络业务的发展提出了见解和建议。