纳米Co_(3)O_(4)前驱体的分解过程研究

用室温固相反应合成纳米Co3O4前驱体,用热重分析(TG)、X射线衍射分析(XRD)等手段对前驱体的分解过程进行了研究。结果表明,前驱体为CoC2O4·2H2O,呈单斜结构。随温度的升高,前驱体分解过程分两步进行:首先前驱体脱水分解为CoC2O4,然后再分解为Co3O4纳米粉。煅烧温度较低时,随煅烧时间的延长,CoC2O4逐渐分解为Co3O4,并且颗粒尺寸约为17nm。煅烧温度较高时,随着时间的延长Co3O4颗粒迅速长大,结晶更完全。

水诱导相分离法制备的PVDF柔性压电传感器

介绍了一种利用水诱导相分离促使普通PVDF转变成压电高分子的方法,并利用红外吸收光谱和X射线衍射对其进行表征和分析。在压电器件部分,测试了该材料制作的压电传感器的稳定性、线性偏差和响应时间。测试结果表明,该方法制备的PVDF传感器具有良好的稳定性;线性度良好,偏差在±5%以内,灵敏度为0.27 V/kPa;响应迅速,完全响应时间为200 ms。在应用部分,将该材料制成的传感器阵列成功应用于羽毛球拍,实现了羽毛球在球拍上击打的位置和力度的检测,并通过蓝牙实时传输至电脑,并在电脑上进行直观显示和记录。这一使用场景证明了PVDF柔性压电传感器将为可穿戴设备和智能硬件的发展带来更多的可能。

玻璃助剂对厚膜NTC热敏电阻器材料特征常数的影响

研究表明 ,玻璃助剂含量从 10增至 30wt.%时 ,厚膜NTC热敏电阻器的电阻率 ρ50 增长 86 % ,其它材料特征常数 (热敏常数B、电导激活能ΔE和电阻温度系数α50 )增长小于 1.4 %。玻璃助剂含量从 30增至 4 0wt.%时 ,电阻率 ρ50 增长 4 % ,其它材料特征常数增长 7.7%。厚膜烧结过程中 ,热敏相的成分改变是导致材料特征常数显著变化的主要原因 ,电阻率对热敏相成分改变更为敏感。玻璃助剂含量为 5wt.%时 ,材料特征常数发生异常增大 ,电阻率 ρ50 增长4 2 0 % ,其它常数增长 17%以上。异常增大现象主要与烧结时热敏相颗粒间难以形成良好接触和导通节点显著减少有关。

纳米Co_2O_3前躯体的室温固相反应工艺研究

采用室温固相反应合成纳米Co3O4前驱体,用X-射线衍射分析(XRD)和透射电镜(TEM)等手段对前驱体的制备工艺进行了研究,就不同工艺对前驱体形貌、尺寸和产率的影响规律进行了探讨。结果表明,采用CoSO4·7H2O和H2C2O4·2H2O为原料制备的前驱体均为单斜相的CoC2O4·2H2O。在压应力作用下,前驱体的形貌主要为不规则多边形,颗粒尺寸在50～500nm范围内变化。而无压应力作用时,前驱体形貌为不规则形状,颗粒尺寸均匀,约为150～200nm。前驱体的产率与工艺参数有较大关系,对反应物分别研磨或反应物混合研磨、施加压力、升高温度和提高H2C2O4·2H2O的量将有利于提高前驱体的产率。

低熔点合金衬底上CVD法生长石墨烯

以CH4为气态碳源,不同组分的In基合金为衬底,用CVD法进行石墨烯生长的研究结果。用光学显微镜,拉曼光谱,场发射扫描电镜对生长的薄层进行了表征。结果显示在熔融态金属Cu-In合金上成功制备了石墨烯薄膜,"表面催化"型金属Cu的加入In使金属表面形核点增多,合金表面石墨烯的生长速度提高,但石墨烯质量下降;"溶解析出"型金属Ni与低熔点金属In组成的合金催化性能有明显的增强,在极短的时间内堆积成石墨"块";金属Sn不具备明显的催化生长石墨烯的能力,导致了Sn-In合金衬底上石墨烯的生长与纯In类似,Sn的影响作用较弱。

高纯铝片抛光工艺及对氧化铝模板的影响

在多孔阳极氧化铝(Porous anodic alumina,PAA)制备过程中,为了得到更稳定的电解过程,实现高度有序的纳米孔阵列结构,对高纯铝片表面进行抛光是一个典型的、必要的步骤。为此系统研究了高氯酸/乙醇抛光液体系在不同电压(1,5,10,20V和25V)和不同时间(10,60s和180s)下的抛光工艺,以及抛光对高纯铝片表面以及PAA的影响,获得用于制备PAA模板较合适的抛光工艺,即抛光电压为10V,抛光时间为180s。

石墨烯金属基复合材料研究进展

石墨烯因为其极高的导电导热性能和优异的力学性能被认为是理想的金属基复合材料增强体。本文从导电性、导热性、力学性能等方面介绍了近年来石墨烯增强金属基复合材料的研究进展,概述了产业化进程,分析总结了石墨烯金属基复合材料产品研发中的主要难点,并对石墨烯金属基复合材料的应用前景作了展望。

石墨烯材料抗菌抗病毒研究进展

近些年来,由于各种抗生素药物的滥用导致致病细菌和病毒出现了顽强的耐药性,因此,开发和设计新的广谱高效、低成本、低风险和简单易得的抗菌抗病毒产品就显得尤为重要。金属和碳纳米材料凭借其合成简单、结构性能高度可调、抗菌性能优异等特性已被广泛应用到抗菌抗病毒领域[1]。

石墨烯量子点光致发光性能及调控机制研究进展

石墨烯量子点是一类重要的石墨烯衍生物,在量子尺寸效应的作用下,石墨烯量子点显示出与传统石墨烯截然不同的半导体特性。目前,石墨烯量子点以其优异的光致发光特性,高稳定性,低生物毒性,可调制的界面结构,在荧光防伪材料、生物成像、肿瘤诊疗、光/电催化等领域展现出突出的优势。从石墨烯量子点光致发光特性出发,对石墨烯量子点的带隙这一关系到该材料在各应用领域的重要基本物性进行总结,旨在明确当前在石墨烯量子点光致发光机制研究、光致发光性能调制两大领域的研究进展与挑战。