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倒装芯片凸块制备工艺
1
作者
丁增千
李圣贤
《电子工艺技术》
2024年第3期1-5,共5页
倒装芯片是先进封装中的主流技术之一,而凸块制备工艺又是倒装芯片关键技术之一,随着消费类电子产品朝着轻薄短小的趋势发展、芯片集成度越来越高、引脚数越来越密集,凸块制备工艺也在随之发展。凸块制备工艺包括UBM、蒸发、C4NP、模板...
倒装芯片是先进封装中的主流技术之一,而凸块制备工艺又是倒装芯片关键技术之一,随着消费类电子产品朝着轻薄短小的趋势发展、芯片集成度越来越高、引脚数越来越密集,凸块制备工艺也在随之发展。凸块制备工艺包括UBM、蒸发、C4NP、模板印刷和电镀工艺。随着芯片尺寸的减小,焊球凸块逐步向铜柱凸块发展。同时还要应对细间距铜柱带来的共面性问题、应力问题和金属间化合物生长等可靠性问题。
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关键词
倒装芯片
焊球凸块
综述
铜柱凸块
制备工艺
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职称材料
倒装芯片的底部填充工艺研究
2
作者
李圣贤
丁增千
《电子与封装》
2024年第7期50-56,共7页
倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断...
倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断向轻薄化方向发展,芯片尺寸的缩减和结构的精细化导致对填充材料的性能及封装可靠性的要求不断提高,底部填充工艺面临着更大的挑战。材料设计、工艺优化等措施是应对潜在挑战的有效方式。
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关键词
封装技术
倒装芯片
底部填充工艺
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职称材料
超高真空磁控溅射生长铌薄膜
3
作者
杨丽娜
丁增千
+4 位作者
李睿颖
周博艺
熊康林
冯加贵
张永红
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期607-612,共6页
金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用。铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备。为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要。结合真空分析表征、低温输运测量...
金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用。铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备。为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要。结合真空分析表征、低温输运测量等技术系统性地研究了溅射参数对铌膜表面粗糙度和晶粒大小的调控,并分析了生长条件对铌膜超导转变温度和剩余电阻比的影响。利用硅上铌膜制备的共面波导谐振器,在10 mK温度,单光子激励下,本征品质因子超过一百万,表明超高真空磁控溅射生长的铌膜微波损耗极低。
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关键词
超高真空磁控溅射
铌膜
表面粗糙度
剩余电阻比
微波谐振器
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职称材料
题名
倒装芯片凸块制备工艺
1
作者
丁增千
李圣贤
机构
材料科学姑苏实验室
出处
《电子工艺技术》
2024年第3期1-5,共5页
文摘
倒装芯片是先进封装中的主流技术之一,而凸块制备工艺又是倒装芯片关键技术之一,随着消费类电子产品朝着轻薄短小的趋势发展、芯片集成度越来越高、引脚数越来越密集,凸块制备工艺也在随之发展。凸块制备工艺包括UBM、蒸发、C4NP、模板印刷和电镀工艺。随着芯片尺寸的减小,焊球凸块逐步向铜柱凸块发展。同时还要应对细间距铜柱带来的共面性问题、应力问题和金属间化合物生长等可靠性问题。
关键词
倒装芯片
焊球凸块
综述
铜柱凸块
制备工艺
Keywords
flip chip
solder bump
review
Cu pillar bump
preparation technology
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
倒装芯片的底部填充工艺研究
2
作者
李圣贤
丁增千
机构
材料科学姑苏实验室
出处
《电子与封装》
2024年第7期50-56,共7页
文摘
倒装芯片技术被广泛应用于先进封装技术领域,可以有效解决芯片与基板之间因应力不匹配产生的可靠性问题。底部填充工艺通过在芯片和基板的间隙填充有机胶,使得应力可以被重新分配,进而起到保护焊点的作用,提升封装可靠性。随着芯片不断向轻薄化方向发展,芯片尺寸的缩减和结构的精细化导致对填充材料的性能及封装可靠性的要求不断提高,底部填充工艺面临着更大的挑战。材料设计、工艺优化等措施是应对潜在挑战的有效方式。
关键词
封装技术
倒装芯片
底部填充工艺
Keywords
package technology
flip chip
underfill process
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高真空磁控溅射生长铌薄膜
3
作者
杨丽娜
丁增千
李睿颖
周博艺
熊康林
冯加贵
张永红
机构
材料科学姑苏实验室
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第7期607-612,共6页
基金
江苏省自然科学基金(BK20180255)
中国科学院青年创新促进会项目(2019319)
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所自有课题(Y9AAD110)。
文摘
金属铌的超导转变温度高,在超导电子学和超导量子电路中有着广泛的应用。铌膜通常采用常规磁控溅射设备进行制备。为了改善铌膜的质量,利用超高背景真空的磁控溅射设备进行铌膜制备工艺的研究非常重要。结合真空分析表征、低温输运测量等技术系统性地研究了溅射参数对铌膜表面粗糙度和晶粒大小的调控,并分析了生长条件对铌膜超导转变温度和剩余电阻比的影响。利用硅上铌膜制备的共面波导谐振器,在10 mK温度,单光子激励下,本征品质因子超过一百万,表明超高真空磁控溅射生长的铌膜微波损耗极低。
关键词
超高真空磁控溅射
铌膜
表面粗糙度
剩余电阻比
微波谐振器
Keywords
Ultra-high vacuum magnetron sputtering
Niobium film
Surface roughness
Residual resistance ratio
Microwave resonator
分类号
O511.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
倒装芯片凸块制备工艺
丁增千
李圣贤
《电子工艺技术》
2024
0
下载PDF
职称材料
2
倒装芯片的底部填充工艺研究
李圣贤
丁增千
《电子与封装》
2024
0
下载PDF
职称材料
3
超高真空磁控溅射生长铌薄膜
杨丽娜
丁增千
李睿颖
周博艺
熊康林
冯加贵
张永红
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
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