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真丝纤维原纤化处理方法的探讨 被引量:3
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作者 胡凤霞 张健 +1 位作者 盛家镛 丁子君 《丝绸》 CAS 北大核心 2004年第11期18-19,共2页
采用不同用量的HAP碱性蛋白酶和不同浓度的Na2CO3分别对丝素处理不同的时间,用扫描电镜观察处理前后丝素纤维的横截面,并对结果进行比较分析,获得了丝素纤维起茸级别为原纤级的原纤化方法,以期为实际生产提供理论指导。
关键词 原纤化 真丝纤维 丝素 碱性蛋白酶 用量 处理方法 NA2CO3 HAP 扫描电镜观察 比较分析
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GA799-Ⅰ型毛巾剑杆织机送经机构的改进 被引量:1
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作者 胡凤霞 郭小宝 +1 位作者 张健 丁子君 《纺织学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期107-110,共4页
GA799-Ⅰ型毛巾剑杆织机是通过电磁离合器的吸合与分离形成间歇式卷取来改变纬密,针对该机构易造成毛巾缎纹部分长度与设计长度不符,纬密也易偏离设计要求的缺陷,采用链条传动和齿轮传动控制卷取的方式对该机型的送经机构进行改进,解决... GA799-Ⅰ型毛巾剑杆织机是通过电磁离合器的吸合与分离形成间歇式卷取来改变纬密,针对该机构易造成毛巾缎纹部分长度与设计长度不符,纬密也易偏离设计要求的缺陷,采用链条传动和齿轮传动控制卷取的方式对该机型的送经机构进行改进,解决了毛巾剑杆织机中存在的缎纹部分长度与纬密不稳定的技术难题,使缎纹长度设计范围从原来的30~50 mm增加到300~500 mm,为生产同类产品提供了理论依据. 展开更多
关键词 毛巾 剑杆织机 缎纹组织 纬密 送经机构
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HMLS高黏合轮胎增强骨架材料生产工艺的优化
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作者 胡凤霞 杜兆芳 +1 位作者 朱泽贺 丁子君 《上海纺织科技》 北大核心 2011年第1期33-34,54,共3页
以具有高模量、高取向度、高温下尺寸稳定、抗冲击好的HMLS涤纶丝为原料,对其采用直捻法加捻,喷气织机织造,并选用环保的嵌段异氰酸酯配制浸胶液浸胶,优化浸胶工艺参数,生产出的高黏合轮胎增强骨架材料的断裂强力为214.8 N,定负荷伸长率... 以具有高模量、高取向度、高温下尺寸稳定、抗冲击好的HMLS涤纶丝为原料,对其采用直捻法加捻,喷气织机织造,并选用环保的嵌段异氰酸酯配制浸胶液浸胶,优化浸胶工艺参数,生产出的高黏合轮胎增强骨架材料的断裂强力为214.8 N,定负荷伸长率4.7%,干热收缩率1.1%,附胶量3.2%,各项指标均优于老工艺,满足了汽车子午线轮胎对胎体骨架材料的要求。 展开更多
关键词 产业用纺织品 涤纶 工业丝 轮胎骨架材料 工艺 优化
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55g/m^2平纹水刺非织造布的工艺探讨
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作者 胡凤霞 杜兆芳 +1 位作者 高春燕 丁子君 《安徽工程科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第3期61-64,共4页
对55 g/m2平纹水刺非织造布的整个工艺技术路线进行分析,并对其中最重要的两道工序梳理成网和水刺固结中的关键工艺参数采用正交试验进行详细分析,从而得出55 g/m2平纹水刺非织造布的最佳生产工艺,为开发该类产品提供依据.
关键词 非织造布 水刺法 工艺探讨
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语法隐喻视角下科技语篇名词化汉英翻译研究 被引量:1
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作者 丁子君 《汉字文化》 2023年第19期166-168,共3页
名词化作为语法隐喻的主要达成手段,是书面语体的显著特征之一,在科技语篇的语篇建构中发挥着重要作用。文章以语法隐喻理论为基础,结合翻译实例,探讨科技语篇中的名词化现象及翻译策略。研究发现,名词化结构能有效增强科技语篇的信息... 名词化作为语法隐喻的主要达成手段,是书面语体的显著特征之一,在科技语篇的语篇建构中发挥着重要作用。文章以语法隐喻理论为基础,结合翻译实例,探讨科技语篇中的名词化现象及翻译策略。研究发现,名词化结构能有效增强科技语篇的信息性和客观性,在进行汉英翻译时,译者需充分考虑英汉两种语言的不同特点,合理运用名词化结构,以实现语篇的有效翻译。 展开更多
关键词 语法隐喻 科技语篇 名词化 汉英翻译
原文传递
TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能 被引量:1
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作者 王永平 丁子君 +2 位作者 朱宝 刘文军 丁士进 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期9-14,共6页
使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了~0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12~0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。 展开更多
关键词 材料表面与界面 原子层沉积 扩散阻挡层 退火 TaN薄膜
原文传递
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