Pd/PdO_(x)/IGZO肖特基二极管及其全波整流电路的研究

铟镓锌氧化物(IGZO)是一种极具应用发展前景且已在显示领域有一定市场规模的氧化物半导体材料。目前其研究主要集中在薄膜晶体管上,而关于由其制备的薄膜二极管及其相关电路的研究较少。本工作通过沉积氧化钯(PdO_(x))作为肖特基电极接触形成界面富氧状态,实现了低氧空位界面缺陷态密度的高质量肖特基接触,制备了高性能IGZO肖特基势垒二极管(SBD),实现了接近理想值的理想因子1.09、高达3.3×10^(6)的电流开关比以及0.80 eV的肖特基势垒高度。基于该SBD进而制备了桥式整流电路,实现了正弦波的全波整流,且在500 Hz低频下输出电压幅值损耗小于1 V。