GaAs MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究

本文对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ正向肖特基结电压Ｖｇｓｆ随温度的变化特性进行了测量与分。析，得到了在较宽的温度范围内恒定电流下的Ｖｇｓｆ随温度的变化有很好的线性关系，并发现其温度系数α＝ｄＶｇｓｆ／ｄＴ与测试电流有关，随着Ｉ的增大｜α｜减少．经过对试验点的拟合发现，ｋＴ与Ｉ的变化满足指数关系，且Ｖｇｓｆ随温度的变化曲线在不同的测试电流下具有聚焦特性，即在绝对零度时，不同电流下的Ｖｇｓｆ具有相同的值．据此，我们得到了新的肖特基结电流电压关系式，很好地解释了Ｖｇｓｆ－Ｔ曲线与测试电流的关系及其不同测试电流下的聚焦特性．

集成电路设计实践教学平台建设的研究

通过对北京工业大学集成电路设计实践教学定位的分析和研究,得出集成电路设计实践教学平台应兼具系统全面性、工程实践性和工具先进性等特点。并在此基础上,初步构思了一套围绕着SOC产品的集成电路设计平台。该平台定位于使学生掌握较为全面的数模混合电路设计技术,充分培养学生的工程意识,并和企业界、工业界的最新需求、最新技术实现对接。

半导体器件封装热阻测试方法及其研究

本文介绍了用标准芯片法测量半导体器件的封装热阻的测试原理及测量装置,并对该测量系统的重复性及误差进行了讨论。通过对半导体PN结温度系数的研究发现:温度系数的测定准确性主要与被测点的温度范围有关,而与所选温度点的个数关系不大.最后本文对半导体器件开帽与不开帽测量热阻进行了讨论.

GaAs MESFET沟道温度电学法测量的理论分析

1 引言 随着功率GaAs MESFET广泛的应用,它的热可靠性越来越引起人们的极大关注。用器件本身电学参数随温度的变化测量器件的沟道温度—电学法测试,能够非破坏性地快速测量封装后的成品管的沟道温度和热阻。并由此对GaAs MESFET进行考核和筛选,是当今快速筛选和考核的重要方法。 电学法测量出的温度普遍认为是器件有源区上的平均温度,但是这种温度与其器件芯片中的各种温度如最高温度、统计平均温度及芯片表面温度分布的关系如何,还未有过详细的研究。本文将对电学法测得的温度通过建立热模型进行模拟。