磷扩散法制备p型ZnO薄膜

应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜。X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜。电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018/cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成。

制备工艺对InP/SiO_2纳米膜性能的影响

应用射频磁控共溅射方法，分别在ＩｎＰ薄片与磁控靶底座紧接触（方法 １）和 ＩｎＰ薄片放在 石英靶表面（方法 ２）两种情况下制备了 ＩｎＰ／ＳｉＯ_２复合薄膜，并分别在高纯 Ｈ_２中和在Ｐ气氛中对薄 膜进行了热处理．Ｘ射线光电子能谱表明，对于用方法 １制备的复合膜，其ＳｉＯ_２中的氧缺位、Ｐ和 Ｉｎ的氧化物的含量都比用方法２的少得多．Ｘ射线和卢瑟福背散射实验结果表明，在Ｐ气氛下的高温 （５２０℃）热处理，可以彻底地消除这些氧缺位和氧化物而得到符合化学计量的ＩｎＰ／ＳｉＯ_２纳米颗粒复合 薄膜．复合薄膜的光致发光特性与制备工艺密切相关．较详细地阐述了俘获态对光致发光影响的机理．

制备工艺对p型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响

本文报道溅射工艺、退火工艺和冷却方式对磷扩散法制备的p型ZnO薄膜的微观结构和电学特性的影响的实验研究。研究结果表明,ZnO薄膜的表面形貌、结晶度、内应力以及电学特性均与制备工艺条件有密切的关系。文章对这些关系的机理做了探讨和分析。

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展

从全光通信对光子器件的要求出发 ,报道了近年来在半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展。强量子限制效应可以大大地减小激子的寿命 ,但这种材料 ( - 族例外 )普遍存在着长寿命的俘获态 。

半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料的超快激光光谱学

报道了近年来半导体 /介质纳米颗粒镶嵌材料中超快过程的激光光谱学的主要测量方法和技术、探测结果、机理分析和我们的一些见解。

制备高质量ZnO光电薄膜的关键技术

提高ZnO薄膜的质量,使之适应制备光电器件的要求,是目前ZnO薄膜研究的一个主要问题。在对近年来人们在ZnO薄膜的制备上所作的工作进行调研的基础上,总结出对提高薄膜的质量有普遍参考价值的三种关键技术:“缓冲层”,“氢钝化”和“表面化学处理”。对三种关键技术的主要内容,及其在提高薄膜结晶质量与光电性能方面的效果和物理机制,作了较详细的介绍。并对这些技术提出了自己的一些见解。

磁控共溅射GaAs/SiO_2细小纳米颗粒镶嵌材料的结构和非线性光学性质(英文)

应用磁控共溅射技术和后退火方法制备了 Ga As/ Si O2 纳米颗粒镶嵌薄膜 ,并分别应用原子力显微镜、X射线衍射和卢瑟福背散射实验来观测薄膜的形貌、相结构和化学组分 .结果表明 Ga As纳米颗粒的平均直径很小 (约为1.5～ 3.2 nm) ,且均匀地分布于 Si O2 之中 ,薄膜中的 Ga As和 Si O2 组分都符合化学计量关系 .应用脉冲激光高斯光束对薄膜的光学非线性进行了 Z扫描测试和分析 .结果表明 ,薄膜的三阶光学非线性折射率系数和非线性吸收系数都由于量子限制效应而大大地增强 ,在非共振条件下 ,它们分别约为 4× 10 - 1 2 m2 / W和 2× 10 - 5m/ W,在准共振的条件下 ,它们分别约为 2× 10 - 1 1 m2 / W和 - 1× 10 - 4m/ W.

磷扩散法制备高掺磷p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺的探索

在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺。结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关。

以电子教案为主体的大学物理学习系统的“匹配”作用

五邑大学物理学科组以“学生对物理内容的认知”为主要研究方向 ,创建和开发了以电子教案为主体的大学物理“学习系统”。报道了该“学习系统”的创建依据、主要内容及其在“教学目标”和“学生认知”间的良好的“匹配”作用。

地方大学工科物理教学中学生创新能力的培养

工科物理学可以在培养有创新能力的地方建设人才中起着不可忽视的作用。学生创新能力的培养需要必要的条件 ,而物理教师自身的素质的提高是首要的。

改进物理教学，培养开拓型人才

改进物理教学，培养开拓型人才丁瑞钦，李渭清，胡林，关小泉，杨恢东（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）１９９４年１２月９日，在广州举行的“广东省高等学校首届大学生物理实验设计大奖赛决赛”上，我校参赛的两位建工系学生，和中山大学物理系的参赛者并列获得...

Ca Ⅰ 3 d6 p和3 d4 f态的新VUV光谱测量和研究

应用可调谐相干ＶＵＶ辐射源和热电离二级管得到了ＣａⅠ的双激发态３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ的高分辨光谱，测出了相应谱线的波长，并测得变窄了的３ｄ６ｐ１Ｐ１的谱线宽度为１．５，明显地观察到３ｄ６ｐ和３ｄ４ｆ三重态中Ｐ态与Ｄ态线型对称性反转的现象，并对上述线宽变窄和线型对称性反转现象的机理作了探讨。

掺铒硅基材料发光的研究进展

对近几年来几种掺饵硅基材料的发光特性及光致发光和电致发光的机理的研究进展作综合介绍,并对掺铒硅基材料发光今后的研究发展提出自己的一些看法。

加强抽象思维能力和逻辑思维能力的培养──提高物理教学质量的研讨

加强抽象思维能力和逻辑思维能力的培养──提高物理教学质量的研讨丁瑞钦（五邑大学数学物理系江门市５２９０２０）１９９４年以来，在我校物理教师和学生们的共同努力下，大学物理的教学质量有较大程度的提高。以全国发行的清华大学物理试题库的中等难度的试题为标准，...

镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望

从高速全光器件和光电集成器件对材料的要求出发,报道各族半导体纳米颗粒镶嵌薄膜材料的研究近况,并对今后材料研究的主攻方向发表见解.

基片温度对RF磁控溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特性的影响

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术，以光学石英玻璃为基片，在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品。采用岛津光谱仪，对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内的透射光谱进行了测量。结果表明，与ＧａＡｓ块体材料相比，薄膜样品吸收边发生明显的蓝移；且随着基片温度的降低，蓝移量增大。而当基片温度达到３００℃时，光谱中出现了明显的吸收峰。量子限域效应是导致这种结果的主要原因。

p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质

采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P薄膜沿(0002)晶面高取向生长,以3.33 eV近带边紫外发光为主,伴有2.69 eV附近的深能级绿色发光峰,空穴浓度为8.982×1017/cm3,空穴迁移率为9.595 cm2/V.s,p-ZnO/n-Si异质结I-V整流特性明显,表明ZnO∶P薄膜具有p型导电特性。

射频磁控溅射法制备TiO_2薄膜的拉曼光谱

采用射频磁控溅射法制备了纳米TiO2薄膜,并应用显微拉曼光谱和原子力显微镜对薄膜进行了检测。通过拉曼光谱研究,一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构,另一方面对薄膜的生长方式提供了线索。

同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。

氢对GaAs薄膜的钝化作用

报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层（13～20nm厚）高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法，研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响。对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析．结果表明，衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显增加，说明氢在衬底温度500℃～520℃下对薄膜有重要的钝化作用。