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二氧化硅光波导膜材料的制备工艺
被引量:
1
1
作者
吴金东
黄舒
+2 位作者
胡海鑫
丁纲筋
肖湘杰
《光电子》
2014年第3期34-43,共10页
二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛,制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Depo...
二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛,制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Deposition, FHD)工艺是制备SiO2厚膜的典型方法, 本文分析总结了制备工艺参数对膜层性能的影响,说明PECVD + FHD混合工艺是SiO2型PLC器件最具竞争性的制作方法。
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关键词
平面光波导
二氧化硅膜
等离子增强化学气相沉积
火焰水解沉积
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职称材料
题名
二氧化硅光波导膜材料的制备工艺
被引量:
1
1
作者
吴金东
黄舒
胡海鑫
丁纲筋
肖湘杰
机构
深圳市光纤传感工程技术研究开发中心
深圳太辰光通信股份有限公司
出处
《光电子》
2014年第3期34-43,共10页
文摘
二氧化硅(SiO2)平面光波导器件在光通信和光传感的应用日益广泛,制备SiO2膜材料是平面光波导及其集成器件制作的基础。等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)和火焰水解沉积(Flame Hydrolysis Deposition, FHD)工艺是制备SiO2厚膜的典型方法, 本文分析总结了制备工艺参数对膜层性能的影响,说明PECVD + FHD混合工艺是SiO2型PLC器件最具竞争性的制作方法。
关键词
平面光波导
二氧化硅膜
等离子增强化学气相沉积
火焰水解沉积
分类号
O48 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二氧化硅光波导膜材料的制备工艺
吴金东
黄舒
胡海鑫
丁纲筋
肖湘杰
《光电子》
2014
1
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