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PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文)
被引量:
4
1
作者
丁绪坤
李效民
+3 位作者
高相东
张树德
黄宇迪
李浩然
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期576-582,共7页
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底...
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用.
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关键词
CH3NH3PbI3
薄膜
钙钛矿
连续离子吸附与反应法
气相过程
光电材料
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职称材料
题名
PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文)
被引量:
4
1
作者
丁绪坤
李效民
高相东
张树德
黄宇迪
李浩然
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2015年第3期576-582,共7页
基金
supported by the National Natural Science Foundation of China(50502038,10576036)~~
文摘
有机-无机卤化物钙钛矿是一类优异的光电材料.在过去四年内,基于有机-无机卤化物钙钛矿的光电器件实现了超过15%的光电转换效率.而有机-无机卤化物钙钛矿材料的可控制备是保证其在光电器件中应用的基础.本文采用新的沉积方法在玻璃衬底表面制备了一种典型的有机-无机卤化物钙钛矿CH3NH3Pb I3薄膜.其制备过程是:采用超声辅助的连续离子吸附与反应法在玻璃衬底表面沉积Pb O-Pb I2复合物膜,之后与CH3NH3I蒸汽在110°C环境下反应,将Pb O-Pb I2复合物膜转化成CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜.对CH3NH3Pb I3薄膜的微观结构,结晶性及其光电性能等进行了表征.结果表明,CH3NH3Pb I3薄膜呈晶态,具有典型的钙钛矿晶体结构.薄膜表面形貌均匀,晶粒尺寸超过400 nm.在可见光范围,CH3NH3Pb I3薄膜透过率低于10%,能带宽度为1.58e V.电学性能研究表明CH3NH3Pb I3薄膜表面电阻率高达1000 MΩ.高表面电阻率表明CH3NH3Pb I3薄膜具有一定的介电性能,其介电常数(εr)在100 Hz时达到155.本研究提出了一种制备高质量CH3NH3Pb I3钙钛矿薄膜的新方法,所得CH3NH3Pb I3薄膜可望在光、电及光电器件中得到应用.
关键词
CH3NH3PbI3
薄膜
钙钛矿
连续离子吸附与反应法
气相过程
光电材料
Keywords
CH3NH3PbI3
Thin film
Perovskite
Successive ionic layer adsorption and reaction
Vapor process
Photovoltaic material
分类号
O611.4 [理学—无机化学]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PbO-PbI_2复合物膜转化的CH_3NH_3PbI_3钙钛矿薄膜及其光电特性(英文)
丁绪坤
李效民
高相东
张树德
黄宇迪
李浩然
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2015
4
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职称材料
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