AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究

采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2（x=0.2）单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备。采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC-TGA测试,发现其熔点为826.69℃,结晶点为750.86℃,总失重约为3.9217%。采用同成份粉末源包裹晶体,在抽空封结后进行退火处理。退火处理后晶体的红外透过率有明显改善。在4000 cm^-1～7000 cm^-1范围内红外透过率由原先低于25%改进到高于40%;在750 cm^-1～4000 cm^-1范围的红外透过率由原先低于45%改善到超过50%,在2000 cm^-1～750 cm^-1区域甚至高达60%。结果表明：采用同成分粉末源包裹,在抽空封结后退火处理能有效提高AgGa1-xInxSe2晶体的红外透过率,改善晶体的光学均匀性,退火后的晶体适合红外非线性光学器件制备。

AgGa_(0.6)In_(0.4)Se_2晶体的制备与表征

以高纯单质为原料,按AgGa1-xInxSe2（x=0.4）化学计量配比配料（富1%Se）,在双层石英安瓿中,用机械和温度振荡相结合的方法,合成出高纯单相多晶料。差热分析表明,其熔点和凝固点分别为804.3℃和775.6℃。采用带有籽晶袋、内壁镀碳的双层石英安瓿,用改进的垂直布里奇曼法生长出尺寸为Φ20 mm×60 mm、结构完整的AgGa0.6In0.4Se2单晶体。经X射线衍射仪和红外分光光度计等分析表明,晶体为黄铜矿结构,晶格常数为a=0.602 32 nm,c=1.118 33 nm,其显露面和易解理面为（112）面;厚度约为2 mm的晶片在波长0.836~19.65μm范围内透过率接近或超过60%,禁带宽度约为1.48 eV。结果表明,改进方法生长的AgGa1-xInxSe2晶体的结构完整,光学质量高,可用于中远红外非线性光学器件制备。

《材料现代分析测试技术》课程改革浅议

结合教学实际情况并侧重应用对材料现代分析测试技术课程内容进行合理整合,采用明确教学目的、大量引入多媒体和网络教学、加设有探索意义的课后作业结合课堂讨论和多样化考核等方式,有效激发学生学习兴趣,提高学习主动性和积极性,大幅度提高教学效果,全方面提高学生综合素质。

天然鳞片石墨制备可膨胀石墨的工艺研究

以攀枝花天然鳞片石墨为原料,高锰酸钾和双氧水为氧化剂,硝酸、硫酸和高氯酸作为插层剂,制备膨胀石墨。实验发现较佳的膨化温度为950℃,并以此温度制备膨胀石墨。结果显示,以双氧水和硫酸制备的膨胀石墨其膨胀容积为130.97-221.80 m L/g;以高锰酸钾和硝酸制备的可膨胀石墨其膨胀容积为150.65-247.19 m L/g;以高锰酸钾和高氯酸制备的膨胀石墨,在干燥温度和时间分别为50℃和4-5 h时膨胀容积可达300 m L/g以上。实验还采用XRD和SEM对制备的膨胀石墨结构和形貌进行分析,测试结果发现膨胀石墨的结构完整,可用于进一步制备复合相变材料。

石蜡/不同粒径膨胀石墨复合相变材料的制备及性能研究

以攀枝花天然鳞片石墨为原料,KMnO_4和H_2O_2为氧化剂,HNO_3、H_2SO_4和HClO_4作为插层剂,制备出7种膨胀石墨。用熔融共混法制备膨胀石墨与石蜡复合相变材料,石蜡与膨胀石墨的配比为93∶7,采用X射线衍射、扫描电镜和差示量热仪对复合相变材料的性能进行分析。结果显示石蜡能够很好的吸附于膨胀石墨的层隙之间,导热性能得到很大的提升,经过20次蓄-放热循环后依然很稳定。

AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶体生长及结构性能研究

采用改进Bridgman法生长出外观完整的尺寸为Φ15 mm×35 mm的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭。其晶格常数为a=0.60125 nm,c=1.10243 nm,为黄铜矿结构,与标准PDF卡片(No.35-1095)吻合。X射线粉末衍射谱图的谱峰尖锐,无杂峰,表明得到的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭的结晶状态好。对晶锭沿自然显露面解理取样后经X射线衍射发现晶体的自然显露面为(101)面,并观测到{101}晶面族的四级衍射峰,其回摆峰尖锐且半峰宽窄,表明晶体的结晶性完好并且结构完整,同时证实沿(101)晶面自然显露是AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体生长习性的一种体现。DSC-TG分析表明晶体的熔点和凝固点分别为822.67℃和801.58℃,总失重约为2.027%。

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的生长习性研究

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试。结果表明:随着x值的增加其过冷度增大。采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测。发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面。研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20mm×60mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体。

线性菲涅耳集热器接收器对镜场的遮挡研究

带有二次反射器的线性菲涅耳聚光集热器,虽然其接收器表面的能量分布更均匀,但也增加了接收器对反射镜场的遮挡。本文采用理论计算和模拟两种方式对已设计的线性菲涅耳集热器二次反射器对镜场的遮挡情况进行分析,先通过理论计算得出二次反射器对西边三块初级反射镜遮挡角θni的范围,然后利用光线追踪软件模拟出安装和不安装二次反射器两种情况下到达初级反射镜的光线数目,根据光线数目变化情况得出西边三块反射镜的遮挡角变化范围分别为70o^90o、54o^72o和42o^58o,同时引入光线损失率来衡量二次反射镜对镜元遮挡的影响,结果得出安装二次反射器后镜元光线损失率最大值达到23.53%。

顺丁烯二酸酐水解条件研究

目前,顺丁烯二酸酐的产量处于过剩状态,如何解决顺酐产量过剩的局面,一直是我们所面临的问题。利用顺酐臭氧化法生产乙醛酸就是一个较好利用顺酐的途径。顺酐水解是否彻底,对提高乙醛酸产率有着非常重要的作用,本研究通过测定不同条件下顺丁烯二酸酐水解率,考查了顺丁烯二酸酐质量分数、水解时间、水解温度等参数对水解率的影响,对水解产品进行了熔点测定和红外光谱分析。结果表明,顺丁烯二酸酐质量分数为20%,水解温度60℃、水解时间为2.5 h、顺酐水解率大于99.8%,熔点显示为顺酸熔程;红外光谱表明水解产物为顺酸。

太阳能联合热泵型煤干燥系统设计

为了减少污染降低成本,设计了一套太阳能空气集热器、空气源热泵和热泵蒸汽机组联合干燥系统。通过实验测试和热量衡算后,拟采用400 m^2的空气集热器、8台空气源热泵和3台蒸汽热泵机组即可满足型煤干燥需求。预计改造费用约236万元,投资回收期2.7年;成本由35元/t降低为21.6元/t;年节约标煤2 660 t以上,减排CO_2约6 916 t,减排SO_2约63.84 t,减排NO_x约18.62 t,改造后具有较好的经济效益和环境效益。

磁控溅射法制备SnS薄膜的结构和光学性能

利用磁控溅射法在FTO玻璃上制备了Sn S薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计对不同溅射参数下制备的Sn S薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能进行研究,确定出制备Sn S薄膜的最优溅射参数。结果表明:溅射功率为28 W,沉积气压在2.5 Pa时,制备出的Sn S薄膜在(111)晶面具有最好的择优取向,薄膜微观形貌呈单片树叶状,晶粒粒径约370 nm,晶粒分布均匀,薄膜表面光滑致密;最优溅射参数下制备的Sn S薄膜的吸收系数可达到105cm-1,比其他方法制备的Sn S薄膜的吸收系数值高,禁带宽度为1.48 e V,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 e V)十分接近。

硒铟镓银单晶体(112)面蚀坑形貌观察

研究出一种能在室温下对AgGa0.8In0.2Se2晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,提出了一种适合AgGa0.8In0.2Se2晶体择优腐蚀的新工艺。采用改进的Bridgman法生长出AgGa0.8In0.2Se2晶体,对晶体进行定向切割出(112)面晶片;然后对晶片进行研磨、机械抛光,使其表面平整无划痕;再将晶片用新腐蚀液,浓HNO3(65%～68%)∶浓HCl(35%～38%)=1∶2.5(体积比),在室温下腐蚀5min,同时进行超声振荡。采用金相显微镜对腐蚀后的晶片表面进行观察,发现清晰的蚀坑形貌,形状近似为正三角形,并对(112)面蚀坑的形成及其形貌成因进行了理论分析。

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体的定向加工

报道了一种AgGa1-xInxSe2晶体定向加工的新方法,即根据AgGa1-xInxSe2晶体自身解理面,结合晶体标准极图和X射线衍射仪,快速寻找AgGa1-xInxSe2晶体通光面并进行回摆精修的器件加工新方法。运用该方法,针对改进垂直Bridgman法自发成核生长的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出AgGa1-xInxSe2(x=0.2)晶体光参量振荡(OPO)器件,其相位匹配角θm=54.71°、方位角φ=45°,元件尺寸达8mm×8mm×18mm。新方法不仅定向准确、操作简便,而且可以应用于不同In含量的系列AgGa1-xInxSe2晶体定向加工。

AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体热处理研究

结合差示扫描量热曲线（DSC）和相图确定出热处理的温度范围。分别在真空和AgGa1-xInxSe2（x=0.2,0.6,0.8）多晶粉末包埋下,对AgGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响。结果表明：用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550~5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善。

盐酸浸出高钛渣收尘灰提钛研究

攀枝花——西昌地区有许多钢厂,在还原铁的过程中,钛以高钛渣的形式富集,同时产生大量的尘灰从高炉飘出。尘灰中的钛含量相当可观,如果不收集起来加以充分利用,会造成资源浪费,这些尘灰飘到大气中,造成的环境污染也比较大。文章利用盐酸浸出高钛渣尘灰,实现高钛渣收尘灰综合利用,盐酸可以实现循环利用,大大减少"三废"量。实验主要研究了盐酸浓度,酸灰比,酸浸温度,酸浸时间对酸浸灰中钛含量的影响。结果表明:不经还原直接酸浸,需要浓酸才能溶解尘灰中的Fe2O3,当盐酸浓度为12 mol/L,酸灰比为1.5,酸浸温度为100℃,酸浸时间为5 h,酸浸灰中的钛含量可以达到39.71%。

硒铟镓银单晶生长过程中In分凝现象研究

采用Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×45mm外表无裂纹的AgGa(1-x)InxSe2单晶体,XRD测试表明其峰值尖锐无杂峰.沿晶体生长方向分别于籽晶带、放肩、主体部位取三块不同位置的单晶片做EDX测试,发现其中In含量与理论值不同,随晶体生长过程呈现递增趋势,分析表明是In的分凝结果所形成的.由上述部位XRD多晶粉末结构分析计算出的晶胞常数变化规律亦呈现递增趋势,与EDX实验结果一致.

过渡金属元素对铌酸钠基反铁电陶瓷储能性的影响

陶瓷电介质拥有较高的功率密度、超快的充放电速度和耐高温等优点,被广泛地应用于脉冲功率领域,且成为研究的热点。笔者采用传统固相法制备了(0.96NaNbO_(3)-0.04CaZrO_(3))-xM_(2)O_(3)(M=Fe、Co和Cr,x=0.01)陶瓷,样品呈现单一的钙钛矿结构没有明显的第二相。Fe、Co和Cr的掺入提高了NNCZ的介电常数和降低了其介电损耗,其中Fe掺入样品的介电损耗最低。NNCZ-Fe样品的击穿强度最高,对应的有效储能密度(Wrec)和储能效率(η)分别为:1.124 J/cm^(3)和59.10%。Fe掺入明显地优化了NNCZ的储能性能,在陶瓷电介质储能领域具有一定的研究意义。

《现代材料分析测试技术》实验教学的实践与改革初探

现代材料分析测试技术实验课程具有授课内容丰富、学习难度较大、实用性强等特点,传统的实验教学模式不适合本课程的实验教学。通过结合现代材料分析测试技术实验课的教学经验,对课程现状进行分析,并结合应用型本科院校培养目标提出存在问题的解决策略,以拉曼光谱实验为例,探讨如何增加学生参与度及学习兴趣、提高实验教学的实践性及教学质量,为今后实验教学提供一定的参考。

金属泡沫/石蜡复合相变材料的制备及热性能研究

利用泡沫铜、泡沫镍和泡沫铝为支撑材料,石蜡作为相变主材,通过恒温浸渍法和浇注法制备多种复合相变材料。研究吸附温度和时间对金属泡沫/石蜡复合材料中石蜡含量的影响,确定恒温浸渍法制备复合相变材料的优选条件为70℃水浴下吸附10 min,借助稳态平板法测导热系数技术和红外成像技术对优选条件下制备的复合相变材料的导热系数和温度场分布情况进行测试。结果表明,蓄-放热过程中泡沫铜/石蜡复合材料稳定性最好,温度分布最均匀;复合材料在50℃和35℃之间进行蓄-放热时,泡沫铝/石蜡复合相变材料的蓄-放时间最短;恒温浸渍法制备的复合相变材料导热系数比纯石蜡高5~9倍,浇注法制备的复合材料则比纯石蜡高6~13倍。本研究有助于推动泡沫金属/石蜡复合材料的成型应用,为今后复合相变材料温度场分布情况研究提供实验依据。

地方高校技术应用型高级专门人才培养的思考与实践——以攀枝花学院新能源科学与工程专业为例

随着化石能源储量的减少,新能源开发与利用以成为全球关注的热点。我国为了鼓励发展战略性新兴产业,于2010年比准开设与"新能源"相关的专业。开设本专业的高校就随之增加,由于专业起步晚、培养模式、课程体系不健全,所以各个高校的专业人才培养模式差异较大。本文以攀枝花学院新能源科学与工程专业人才培养方案制订为例,对专业发展性情况、人才培养目标、人才培养课程体系和培养特色等进行了简单介绍。