(10~20)GHz低附加相移数控衰减器设计

基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成,衰减范围为(0~31.5)dB,步进为0.5 dB。在(10~20)GHz工作频率范围内,衰减器插损小于4.8 dB,所有衰减状态衰减精度不大于±0.5 dB、附加相移不大于±3°,输入驻波系数不大于1.4,输出驻波系数不大于1.5。

一款高三阶交调点的GaAs射频放大器

介绍了一款满足于5G通信发展要求,工作频率高增益,高线性度,高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管(GaAs HBT)工艺,基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上,添加了偏置结构,一方面提高了放大器工作状态的线性度,提高了三阶交调点指标;另一方面保证晶体管工作电流在-55℃,125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz,输出三阶交调点达到40 dBm,线性度高,适用于5G通信信号处理系统。

新型双模滤波器设计

利用波导具有传播多种模式的特性实现波导滤波器的小型化。本文中双模腔体中的谐振块由两个呈十字型排列的矩形脊构成,其中一个直角通过倒角变为45°。通过这种结构,两种简并模式可以沿着正交方向产生耦合。据此,利用简并模式及交叉耦合的特点,设计了一种结构新颖的四阶双模脊波导带通滤波器,中心频率在13GHz,仿真结果达到理想要求,证明了这种设计的有效性。