低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移的模拟

推导了MOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系。模型计算结果与实验吻合较好。该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的MOS器件与电路的模拟。并进一步讨论了MOSFET的辐照敏感性。结果表明 ,尽管PMOS较之NMOS因辐照引起的阈值电压漂移的绝对量更大 ,但从MOSFET阈值电压漂移量的摆幅这一角度来看 ,在低剂量辐照条件下NMOS较之PMOS显得对辐照更为敏感。这一研究结果可能为辐照剂量学提供新的应用思路。

短沟道SOI MOSFET总剂量辐照效应模型

报道了一个含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 .该模型能自动计入体耗尽条件 ,不需要分类考虑不同膜厚时的情况 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于抗辐照 SOI器件与电路的模拟 .

容栅传感器与单片机89C2051的接口及编程

容栅传感器与单片机８９Ｃ２０５１的接口及编程ＩｎｔｅｌｉｇｅｎｔＩｎｔｅｒｆａｃｅｆｏｒＣａｐａｃｉｔｉｖｅＧａｔｅＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＢａｓｅｄｏｎ８９Ｃ２０５１Ｓｉｎｇｌｅ－ＣｈｉｐＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒徐重阳朱兴方赵伯芳丁晖ＷａｎＸ...

SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与

高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型

报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果与实验吻合较好 .初步分析了高剂量条件下不同散射机制对模拟结果的影响 。

80C51系列单片机波特率自动检测的通用程序

８０Ｃ５１系列单片机波特率自动检测的通用程序ＡｎＡｕｔｏｍａｔｉｃＢａｕｄＲａｔｅＤｅｔｅｃｔｉｏｎＰｒｏｇｒａｍｆｏｒｔｈｅ８０Ｃ５１ＳｉｎｇｌｅＣｈｉｐＣｏｍｐｕｔｅｒ●万新恒龚建明ＷａｎＸｉｎｈｅｎｇＧｏｎｇＪｉａｎｍｉｎｇ１引言在串行异步通...

氢化非晶硅局域态电荷密度的解析统一模型

本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall统计描述，推导出了局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。最后将该解析模型与现有的发表结果进行了比较，并由此分析了非晶硅场效应晶体管的迁移率。这种模型是研究非晶硅中的电荷俘获过程及非晶硅器件（如a－Si：HTFT）特性的必要基础。

全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .

氢化非晶硅薄膜晶体管的静态特性研究

发展了一种研究a－Si：HTFT静态特性的新方法。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read-Hall统计描述，发展了一种局域态电行密度统一模型，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。提出并分析了沟道区有效温度参数的概念，在此基础上，推导出了a－Si：HTFT电流—电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。并详细分析了a－Si材料参数对TFTN态特性的影响。

a-Si:H TFT电流-电压特性研究

本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了 a－Si：HTFT电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a－Si：HTFT静态特性分析及其电路优化。

基于神经网络BP算法PECVDSi_3N_4钝化工艺的模拟

由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通过建立ＰＥＣＶＤ淀积工艺的神经网络模型，对ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺进行了计算机模拟，讨论了相关工艺条件对Ｓｉ３Ｎ４介质膜特性的影响。

TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究

分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数。

BiCMOS直流开关型变换器集成模块的CAD设计

讨论了ＢｉＣＭＯＳ工艺和直流开关型变换器工作原理。对直流开关型变换器集成模块进行了ＣＡＤ设计，并给出ＳＰＩＣＥ仿真结果及分析。结果表明，所设计的直流开关型变换器集成模块输出电压稳定、纹波小、工作频率，高、功耗低，且体积小。

石景山区运用现代信息技术 加强和规范政府采购工作

如何通过政府采购,加强财政支出管理、节约财政资金、抑制腐败,提高资金的使用效率是各级政府面临的一个重要课题。

基于AT89C2051单片机的BP机接收解码装置

基于ＰＯＣＳＡＧ码的信令格式，研制了一种基于ＡＴ８９Ｃ２０５１单片机的接收解码装置，对其硬件组成和软件设计要点进行了详细阐述。最后，还对该成果的使用价值及开发前景进行了简要叙述。

打造民族地区精神文明建设高地

中卫是旅游城市、交通枢纽城市，也是路上、网上丝绸之路重要节点城市。作为民族地区，面对经济发展新常态和社会转型新要求，新时期精神文明建设必须按照“四个全面”的总部署，立足新挑战，把握新要求，开创新思路，

应对房地产业宽容一些

房子，从未像今天这样紧绷人们的神经，房地产业，从未被妖魔化得如此深刻，这一切似乎为10年房改画下了一个并不精彩的注脚。目前，我国几大都市的房价已令当地中等收入者无力置业，这无疑是房地产业泡沫的明证，有房者沾沾自喜，无房者拧干父母所有积蓄凑首付。一时间，人人都占据了道德制高点，或者愤青式地怒斥开发商黑心，或者温和地以“中国住房自有率世界第一”为例证规劝无房者租房。

理性看待甲型H1N1流感对经济的影响

一场从美洲大陆袭来的甲型H1N1流感，与国际金融危机和中国经济周期性调整不期而遇，共同构成当前我国经济面临的“三大试题”。从解题的难易程度分析，笔者认为：国内经济周期性下行牵动的经济提振是“必考题”，唯有全力拼搏，别无选择；国际金融危机对国内经济增长方式的倒逼是“强化题”，

做好“有土”“离土”两篇扶贫文章

中卫市地处祖国版图几何中心区域，宁、甘、蒙三省（自治区）交界，宁夏回族自治区中西部，辖“两县一区”和一个开发区，总面积1．7万平方公里，