脉冲电磁场对TiO_2纳米线阵列的影响

利用脉冲电磁场辅助水热合成法制备TiO_2纳米线阵列薄膜,证明不同的脉冲电压对TiO_2纳米线的生长具有较大影响。采用FESEM、XRD等手段对TiO_2纳米线阵列的形貌和结构进行表征,结果表明:当施加的脉冲电压为500V时,生长出的TiO_2纳米线阵列尺寸大体均匀,取向基本一致,排列较为整齐,无明显的生长异常区。生长的TiO_2纳米线属于金红石结构,与衬底匹配良好。同时对脉冲电磁场影响下的TiO_2纳米线阵列生长机理进行深入分析。