VB法生长CdZnTe晶体的放肩角度优化

基于有限元法构建了CdZnTe晶体生长模型,分析了不同放肩角度下固液界面的形态演变。模拟结果表明,放肩角度变化导致了放肩区域内温度梯度分布的变化,进而改变了该区段的固液界面形态。在60°/90°/120°/150°四种放肩角度中,120°能在放肩段得到最平坦的固液界面。随着生长进行,不同角度下固液界面的形态差异逐渐减小,在主体生长中所有界面形状趋于一致。根据模型参数进一步实施了CdZnTe晶体的生长实验,结果表明,在90°/120°/150°三种放肩角度中,120°放肩时晶锭头部的单晶率更高。

热处理对浮法玻璃和Low-E玻璃表面组成的影响

采用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同热处理后浮法玻璃和单银Low-E玻璃的表面化学组成。结果表明,钢化、真空退火、钢化+真空退火都能增加浮法玻璃中Na+向表面的扩散,真空退火能使表面富集的Na+挥发;热处理能使未镀膜面的Na+挥发到膜面。真空退火和先钢化再真空退火处理样品表面锡的相对含量高于钢化处理样品。热处理使Low-E镀膜玻璃的表面层Si和SiNx复合膜层氧化,形成SiNxOy/SiOx复合膜层,能提高Low-E玻璃的可见光透过率。

Low-E/VO2复合镀膜玻璃的制备与性能研究

采用磁控溅射方法在单银Low-E玻璃基底上制备了ASV(Low-E膜系/SiO2/VO2)以及ASVS(Low-E膜系/SiO2/VO2/SiO2)复合膜系,得到可热致变色的近红外隔绝膜系。通过UV-NIR分光光度计、XPS、XRD、SEM,研究了VO2厚度以及SiO2增透层对膜系的透过、隔热性能的影响。结果表明,在20~90℃范围内,ASV膜系的红外平均透过率Tnir随温度升高降低,随着VO2厚度的增加,Tnir下降,选择系数Q先上升后下降。VO2厚度为50 nm时,90℃近红外隔绝性能增幅ΔTnir为18.56%,Q达到96.59%。相较ASV膜系,ASVS膜系的可见光透过率提升16.88%,90℃的Tnir不变。Q达到102.4%,性能优于ASV膜系。

XPS研究热处理对浮法玻璃和Low-E玻璃表面组成的影响

采用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同热处理后浮法玻璃和单银Low-E玻璃的表面化学组成。结果表明,钢化、真空退火、钢化+真空退火都能增加浮法玻璃中Na+向表面扩散,真空退火能使表面富集的Na挥发;热处理或真空退火能使未镀膜面的Na挥发到膜面。真空退火和先钢化再真空退火处理样品表面锡的相对含量高于钢化处理样品。钢化与真空退火使Low-E镀膜玻璃的表面层Si和SiN_(x)复合膜层氧化,形成SiN_(x)O_(y)和SiO_(x)复合膜层中,能提高Low-E玻璃的可见光透过率。

热处理制度对透辉石微晶玻璃析晶与导热性能的影响

以SiO2、CaO和MgO为主要原料,采用传统高温熔融工艺制备了基础玻璃,并通过一步析晶热处理工艺制备了透辉石微晶玻璃。利用X射线衍射仪、电子扫描显微镜和激光导热仪分别研究了热处理温度和时间对透辉石微晶玻璃析晶和导热性能的影响。结果表明:随着热处理温度的升高,微晶玻璃的结晶度增加,晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小;随着热处理时间的延长,微晶玻璃的晶粒尺寸增大,导热系数先增大后减小。当热处理温度890℃,热处理时间120 min,升温速率为10℃/min,微晶玻璃晶粒尺寸为0.3~0.4μm,结晶度为79%,导热系数达到最大值2.59 W/(m·K)。