超高压处理条件对腐败希瓦氏菌的影响

为研究不同压力条件的超高压处理对水产品特定腐败菌--腐败希瓦氏菌的影响以及对细胞损伤、致死的机制,分别对腐败希瓦氏菌菌体进行压力条件为200,300与400 MPa,保压时间9 min的超高压处理,并以常压(0.1 MPa)处理为对照组。分别测定细菌存活数、细菌生长曲线、电导率、碘化丙啶摄入量、核酸和蛋白质吸收量与酶活力等指标,并通过扫描电镜观察,综合评价不同压力条件对腐败希瓦氏菌菌体的影响。结果表明:与未经处理的菌体相比,腐败希瓦氏菌在不同压力的超高压处理后,其正常生长受到明显抑制,菌体对数生长期相应延迟。300 MPa与400 MPa高压处理能完全杀灭细菌。电导率值与碘化丙啶摄入量与压力呈正相关,而细胞膜中Na^+/K^+-ATPase活性明显下降。细菌超微结构观察表明,随着压力的增大,腐败希瓦氏菌菌体扭曲变形,菌体表面粗糙,且有细胞内容物外渗,菌体细胞均出现不同程度的损伤,最终导致细菌死亡。结论:超高压处理能够抑制腐败希瓦氏菌菌体生长,使其细胞膜受损,菌体活性受阻,最终导致其死亡。