以《创立企业》为例,浅析“任务驱动教学法”在会计专业核心课程教学中的应用

"任务驱动教学法"是以具体任务为中心,通过完成任务来学习基本知识、专业技能,培养职业能力。作者在会计专业核心课程教学中尝试应用了"任务驱动教学法",并有很深刻的体会:"任务驱动"使学生"目标"明确、工作过程清楚、工作任务具体、学习"成就感"强、适合学生特点、激发学习兴趣、易于学生接受,本文以《创立企业》课堂教学实施为例,说明"任务驱动教学法"是会计专业核心课程教学中一种十分有效的教学方法。

La掺杂对LiCrTiO_4陶瓷湿敏材料特性的影响

稀土La适量掺杂能显著影响多孔质LiCrTiO_4湿敏陶瓷的敏感特性,降低材料的本征电阻率,有助于提高阻-湿特性的线性关系。结果表明,微量La^+离子参与电子交换是导致材料体电导变化的主要因素。

创新会计文化“五融合”育人模式的实践与探索

会计文化是会计人员在长期工作实践中创造、总结、积淀而形成的各种行为规范、管理制度、价值观念、职业道德等成果的总和,是会计人员共同信奉并付诸实践的价值理念。本文分享了北京市商业学校会计专业以培养"德能兼备"现代职业人为目标,坚持以会计文化培养人,用会计精神塑造人,在长期校企合作办学实践基础上,凝练出特色鲜明的会计专业文化,创新了会计文化"五融"育人实践,提升了学生培养质量的经验与体会。

掺锰对不同导电类型硅材料热敏特性的影响

采用电阻率为5 Ω·cm的p型单晶硅和n型单晶硅,通过高温扩散金属锰的方法,可得到两种类型的热敏材料.测试发现,选择适当的扩散温度和时间,这两种类型的热敏材料一致性都较好.对n型硅掺锰,得到的是小正温度系数热敏材料,其8值在620 K左右;对p硅掺锰,得到的是负温度系数热敏材料,其B值在4 200～4300K之间.

补偿硅的温度敏感特性

采用低电阻率的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅.在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×103、4.8×104、1.3×105、3.2×105Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5 103,5 600,6 103,6 502 K.这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性.

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值(材料常数)的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析.结果表明:这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关.

高补偿硅的阻-温特性

采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。

Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。

p型单晶硅涂源掺锰新方法

研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10–8mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大。

大数据对会计和审计的影响研究

大数据时代的到来,使传统会计和审计工作发生很大改变,并且也带来诸多方面的机遇与挑战,在大数据时代下,要想提升会计与审计工作效果,更好地提升大数据技术和云计算技术的应用效果,还需要全面分析大数据对会计和审计的工作影响,积极结合相关影响因素,分析大数据背景下会计和审计工作的创新策略,进而才能更好实现相关工作的稳定发展。基于此,本文从会计方面和审计方面分析大数据对其的彩响,然后结合影响因素,探究大数据背景下会计和审计的工作方法,从而达到转变传统会计和审计工作模式的目标。

高补偿硅的光敏感特性

对电阻率为5 ·cm的p型单晶硅,在高温条件下采用扩散金属锰的方法,得到高补偿硅。并在室温(25℃)和液氮温度(196℃)下,测试了这种高补偿硅材料对光强的敏感性。测试结果表明:这种材料是一种光敏感材料,其敏感性受外加的电压、样品的温度及补偿后样品的电阻率影响。

Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性

为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料，采用开管涂源的方法，对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂，得到对温度敏感的补偿硅材料，并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料，其导电类型仍为n型，且电阻率较低，为欠补偿，测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm，温度敏感系数（B值）在5300K左右；根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值，与实验值基本一致。

掺锰硅材料的电流振荡特性

用高温扩散方法制备出补偿Si：（B，Mn）材料，并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系．结果表明：在一定光照和电场范围内（276-305V／cm），电阻率为10^4Ω·cm的材料在液氮温度下显示出电流振荡特性；在一定的电场下，电流振荡波形是固定的，不随时间变化；振荡频率随光照强度的增大而线性增大；调制系数随着光强的增强而减弱；振荡的最大值随着光照强度增大而减小，最小值随着光强增大而缓慢增大．

CaS：Eu，Sm的制备及发光特性

采用碳还原法制备了电子俘获材料CaS：Eu，Sm，研究了灼烧温度及灼烧时间对样品发光性能的影响,XRD测试表明，样品具有CaS的面心立方结构，晶格常数为0．58nm．样品的激发谱峰值在279、466、497nm处，荧光光谱的峰值在649nm处，光激励发光峰为650nm，光激励发光的光谱响应范围为900-1400nm。

苏棉21号产量构成因素分析及增产途径

本文通过对苏棉21号产量及其构成因素进行遗传相关和通径分析,表明苏棉21号产量构成因素对产量的贡献大小以每公顷铃数贡献最大,单铃重次之,衣分最小。据此提出苏棉21号增产途径应主攻每公顷铃数,兼顾提高单铃重,促进各因素间协调。

MeCr_2O_4-Bi_2O_3系半导体陶瓷湿敏材料的微观结构和敏感特性

本文研究了 MeCr_2O_4-Bi_2O_3(Me:Mg,Zn)系半导体陶瓷材料的晶相、微组织结构与湿敏特性。指出:掺入适量低共熔氧化物 Bi_2O_3,能在900℃合成温度下得到 MeCr_2O_4尖晶石结构。该材料经1300℃高温预处理后,按标准陶瓷工艺技术制得的烧结样品(φ10×1.0mm)固有阻值为106Ω数量级。微结构显示多孔网络特征,材料灵敏度适中,是制作湿度传感器的一种有实用价值的多孔质敏感材料。

典型相关分析在抗虫棉育种中的应用研究

本文运用典型相关和主成分分析方法,对转基因抗虫棉的13个主要数量性状进行了研究,结果表明:转基因抗虫棉的生育性状与产量性状间典型相关极显著,产量性状与品质性状间典型相关达显著水平,生育性状与品质性状间典型相关不显著。前5个主成分因子:产量因子、品质因子、子指铃重因子、早熟因子及伸长率因子可代表一个转基因抗虫棉品种的基本特征,它们的累计贡献率达87.23%。各性状间相互联系,相互影响,在转基因抗虫棉育种中,应注意各性状间的动态平衡,有利于育成优质高产抗虫棉品种。

转基因抗虫棉数量性状的典型相关和主成分分析

运用典型相关和主成分分析方法,对转基因抗虫棉的13个数量性状进行了研究,结果表明:转基因抗虫棉的生育性状与产量性状间典型相关极显著,产量性状与品质性状间典型相关达显著水平,生育性状与品质性状间典型相关不显著。前5个主成分因子:产量因子、品质因子、子指铃重因子、早熟因子及伸长率因子可代表一个转基因抗虫棉品种的基本特征,它们的累计贡献率达87.23%。各性状间相互联系,相互影响。在转基因抗虫棉育种中,应注意各性状间的动态平衡,有利于育成优质高产抗虫棉品种。