GaAs表面及Al_xGa_（1－x）As／GaAsHBT外基区表面（NH_4）_2S／SiN_x钝化工艺研究

分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明，ＥＣＲ－ＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ覆盖并在Ｎ２气氛中退火有助于改善ＧａＡｓ表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括（ＮＨ４）２Ｓ处理、ＳｉＮｘＥＣＲ－ＣＶＤ淀积及退火并与现有ＨＢＴ工艺兼容的外基区表面钝化工艺，使发射区面积为４×１０μｍ２的器件增益比钝化前提高了４倍，且６０天内不退化。

蓬勃发展的GaAs MMIC──1994 IEEE GaAs IC讨论会侧记

本文简要介绍了１９９４年ＧａＡｓＩＣ讨论会概况以及所展示的ＧａＡｓＭＭＩＣ的进展，并侧重于其应用领域的介绍。

AlGaAs／GaAs HBT集成电路的CAD

介绍了一套用于ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ集成电路的ＣＡＤ软件，它可完成ＨＢＴ的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对ＨＢＴ运算放大器进行了模拟，为电路的研制提供了依据。

高截止频率异质结双极晶体管的研制

本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截止频率为22GHz的HBT。

基于多目标蚁群算法的主题爬虫策略

基于关键词匹配检索的传统搜索引擎爬全率和爬准率较低,而使用基于语义检索的主题爬虫方法容易偏离主题与陷入局部最优。针对该问题,提出一种采用多目标蚁群优化算法的主题爬虫方法。构建主题爬虫领域本体和主题向量,以链接的锚文本相关度、链接所在网页主题相关度以及链接指向网页主题相关度为指标判断链接是否与主题相关,并建立链接主题相关度的多目标优化模型,将基于多目标优化的蚁群算法引入主题爬虫的链接选择过程,采用非支配排序和最近最远候选解法选取Pareto最优链接,以引导主题爬虫搜索方向并提升全局搜索性能。实验结果表明,与FCSA、WSE等传统主题爬虫方法相比,该方法爬准率更高,并且能更快抓取到主题相关度高的网页。

AlInAs／GaINAsHBTIC技术

本文描述了用与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＡｌＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ异质结双极晶体管制作的集成电路。ＨＢＴ的发射极尺寸为２μｍ×５μｍ，截止频率ｆ＿Ｔ和最高振荡频率ｆ＿ｍａｘ分别为９０ＧＨｚ和７０ＧＨｚ。用电流型逻辑（ＣＭＬ）制作了环形振荡器、触发器分频电路和双模前置换算器。其环形振荡器每门延迟时间为１５．８ｐｓ，ＣＭＬ触发器分频电路反转速率为２４．８ＧＨｚ。而４／５和８／９双模前置换算器分别由１０６和１２４只晶体管组成，可在高达９ＧＨｚ的时钟速率下工作。这两种双模前置换算器电路是ＩｎＰ基Ｈ８Ｔ制作的最大规模电路。

HEMT集成电路基础研究

本文介绍了高电子迁移率晶体管(HEMT),赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)和用它们做的直接耦合场效应逻辑电路(DCFL)的结构、设计和制造。由11级环形振荡器测得在室温下的最小传播延迟时间是69～78ps/门,相应功耗0.8～0.3mW/门。

HBT在美国应用前景:用于何时、何处?

本文描述了Ⅲ-Ⅴ HBT技术在美国的现状,包括实验室和制造阶段两个方面。详细说明了HBT的最重要应用,并试图从其它Ⅲ-Ⅴ技术中获得的经验来估价该技术的未来。

多功能HBT技术

为了制作高性能微波电路和数字电路,本文研究了自对准AlGaAs/GaAs HBT技术。这一技术可使晶体管具有高f_(max)(达218GHz)、高f_T(达93GHz)和在至少20GHz下高效(功率附加效率在10GHz大于67.8％)微波放大功能。一个微波单片(MMIC)放大器,在14～24GHz显示出7dB增益。在同一块晶片上还得到了具有优良性能的高速数字电路如环形振荡器、分频器、数据选择器(MUX)、数据分配器(DEMUX)和鉴相器。有可能实现覆盖全部微波频带的多功能芯片。