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一种低温度灵敏度片上张弛振荡器
被引量:
3
1
作者
曹谊
严睿捷
洪志良
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第3期28-32,共5页
本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结...
本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结果表明,当电源电压从1.62 V变化到1.98 V时,振荡器输出频率变化±0.11%;当温度从40℃变化到125℃时,输出频率变化±0.24%.相比于传统方法,频率波动降低了大约2/3.该振荡器采用TSMC 180nm 1P5M工艺实现,电源电压为1.8V.当工作在25 MHz时,功耗为50μW.
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关键词
片上张弛振荡器
带隙基准
电压、工艺以及温度变化
物联网
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职称材料
题名
一种低温度灵敏度片上张弛振荡器
被引量:
3
1
作者
曹谊
严睿捷
洪志良
机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第3期28-32,共5页
文摘
本文介绍了一种用CMOS工艺实现的对温度和电源电压变化不敏感的片上张弛振荡器.文中提出了一种降低张弛振荡器频率波动的补偿技术,该技术克服了传统补偿方法受到片上电阻温度特性制约的缺点,极大地提高了振荡器输出频率的稳定性.测试结果表明,当电源电压从1.62 V变化到1.98 V时,振荡器输出频率变化±0.11%;当温度从40℃变化到125℃时,输出频率变化±0.24%.相比于传统方法,频率波动降低了大约2/3.该振荡器采用TSMC 180nm 1P5M工艺实现,电源电压为1.8V.当工作在25 MHz时,功耗为50μW.
关键词
片上张弛振荡器
带隙基准
电压、工艺以及温度变化
物联网
Keywords
on-chip relaxation oscillator
bandgap reference
process voltage temperature variation
internet of things
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
一种低温度灵敏度片上张弛振荡器
曹谊
严睿捷
洪志良
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018
3
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