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HgCdTe光伏器件反常I-V特性分析 被引量:6
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作者 曾戈虹 孙娟 严隆 《红外技术》 CSCD 1996年第6期1-3,共3页
对HgCdTe光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生p-n结模型,并以此模型为基点,结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。
关键词 光伏器件 寄生p-n结 伏安特性
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