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HgCdTe光伏器件反常I-V特性分析
被引量:
6
1
作者
曾戈虹
孙娟
严隆
《红外技术》
CSCD
1996年第6期1-3,共3页
对HgCdTe光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生p-n结模型,并以此模型为基点,结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。
关键词
光伏器件
寄生p-n结
伏安特性
下载PDF
职称材料
题名
HgCdTe光伏器件反常I-V特性分析
被引量:
6
1
作者
曾戈虹
孙娟
严隆
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
1996年第6期1-3,共3页
文摘
对HgCdTe光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生p-n结模型,并以此模型为基点,结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。
关键词
光伏器件
寄生p-n结
伏安特性
Keywords
HgCdTe diode,I-V characteristic, Parasite p-n junction
分类号
TN214 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
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1
HgCdTe光伏器件反常I-V特性分析
曾戈虹
孙娟
严隆
《红外技术》
CSCD
1996
6
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