铌酸镁的合成与铌镁酸铅基电致伸缩陶瓷性能关系研究

研究了不同温度MgNb2O6的原始合成反应，结果显示游离MgO的含量随MgNb2O6合成温度的升高而减少．首先合成MgNb2O6，但合成时并不加入过量MgO，合成温度为1050℃，由此制备了一种PMN基电致伸缩陶瓷．在X射线衍射检测极限内，并未发现此PMN基电致伸缩陶瓷存在焦绿石第二相．对该陶瓷施加1kV／mm频率为0．07Hz的准静态电场，在室温下其纵向电致应变（S11）达1．05×10－3而滞后仅为6．8％．还研究了MgNb2O6的合成温度与PMN基陶瓷电致伸缩性能的关系，它表明PMN基陶瓷的居里温度Tc随MgNb2O6的合成温度的提高而增高，从而引起介电常数的下降和滞后增大．

PMN基电致伸缩陶瓷电致应变温度特性

研究了扩散相变中心温度分别为４０℃和６５℃的两种Ｌａ－掺杂ＰＭＮ基陶瓷在其扩散相变温度范围的电致应变、电致应变随电场（Ｓ～Ｅ）的滞后特性和剩余应变效应．结果发现，对于扩散相变中心温度为４０℃的材料在０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动下；从－１０～６０℃电致应变和滞后都随温度的升高而减小；对另一种材料无论由±１ｋＶ／ｍｍ交变电场或由０～１ｋＶ／ｍｍ单向电场驱动，温度从１３～４１℃变化均出现电致应变峰值，而滞后和剩余应变随温度的升高而减小．对以上实验结果本文作了详细讨论．