聚噻吩衍生物的合成及光电性质研究

通过化学氧化聚合法合成了3种聚噻吩衍生物,并通过测定紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、光致发光光谱以及循环伏安曲线对3种聚合物的光电性质进行了表征,确定其光学性质、带隙及HOMO/LUMO轨道能量.结果表明,在噻吩环3-位引入长链取代基可提高聚合物最大吸收波长λmax,降低聚合物带隙.

羧乙基硫代丁二酸合成及阻垢性能测定

以苯为溶剂,采用马来酸酐与3-巯基丙酸合成得到羧乙基硫代丁二酸(CESTA)。当反应时间为7 h、反应温度为85℃、n(马来酸酐)∶n(3-巯基丙酸)为1∶1.1时,CESTA收率高达98.8%。测定了CESTA钙螯合值为3 119 mg/g,并采用鼓泡法测定了其阻垢性能。当CESTA质量浓度为10 mg/L时,阻垢率达99%以上。

共轭链含偶氮苯聚噻吩衍生物的合成及光电性能

以对乙酰胺基苯胺为原料合成4,4′-二氨基偶氮苯,进一步经重氮化、Sandmeyer反应得到4,4′-二溴偶氮苯,再经Suzuki偶联反应得到4,4′-二(2-噻吩基)偶氮苯,利用红外光谱(IR)和核磁共振谱对各产物进行了表征。采用FeCl3氧化聚合成得到聚4,4′-二(2-噻吩基)偶氮苯,并测定其UV-Vis吸收光谱、溶液及固体荧光光谱、循环伏安曲线及光致发光光谱,得到该聚合物光学带隙Eg为2.14eV,电化学带隙为2.06 eV,EHOMO为-5.56 eV,ELUMO为-3.50 eV。

羧乙基硫代丁二酸水介质合成及阻垢缓蚀性能研究

采用水介质由巯基丙酸与顺丁烯二酸酐反应得到羧乙基硫代丁二酸(CETSA),并采用IR、1 HNMR及13 C NMR进行了结构表征。探讨了阴离子交换树脂、阳离子交换树脂及硫酸对反应的催化作用,结果表明三种催化剂催化效果相近。测定了CETSA钙螯合值为3119mg/g,阻垢性能及缓蚀性能测试表明,当CETSA质量浓度大于1.0×10-5时,阻垢率大于99%,CETSA对金属镁、锌有明显的缓蚀作用。

含偶氮基聚席夫碱的合成与表征

以对苯二甲醛和4,4'-二氨基偶氮苯衍生物为原料合成得到了3种含偶氮基聚席夫碱化合物,并利用红外光谱、紫外-可见吸收光谱及荧光光谱进行了表征.结果表明,取代基为-OH时聚合物最大紫外吸收波长λmax最大,荧光光谱显示3种聚合物荧光性都比较弱.采用不含偶氮基的类似结构的聚席夫碱化合物作对照,表明偶氮基团的引入减弱了聚合物的荧光性.

2-甲氧亚胺基-2-[2-(2-甲基苯氧甲基)苯基]乙腈合成研究

采用苯酞为起始原料,合成得到标题化合物,并探讨了影响各步反应的因素。4步反应总收率51.1%,各步反应产物利用IR、1HNMR进行了结构表征。1HNMR表征表明,标题化合物为E、Z异构体混合物,比例约为2∶1。