对红外非线光学材料硫镓银(AgGaS_2)晶体形貌的观察研究

用改进的Bridgman法 ,生长出了 1 5mm× 2 0mm的红外非线性光学晶体硫镓银 .采用蚀象法 ,观察了该晶体腐蚀条纹 ,其结果与现有报道结果一致 .通过实验 ,观察到了规则整齐的蚀坑 ,并对其内部形貌进行了初步研究 .

gGaS_2单晶生长与完整性研究

采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。

硒镓银晶体的结构与光学特性研究

用坩埚旋转下降法生长出 2 2mm× 88mm的红外非线性光学晶体硒镓银 ,并对其结构与光学特性进行了研究 ,测定出晶体结构为 4- 2m点群 ,晶格常数a =0 .5 993 3mm ,c =1.0 884nm ,熔点860℃ ,在 10 .6μm附近的透过率为 62 .4% ,对 10 .6μmCO2 激光的能量转换效率达 12 %。此外 ,还进行了扫描电子显微镜 (SEM )图像观察和核光谱特性测量。

富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由 Se空位引起的 .

坩埚旋转下降法生长硒镓银单晶体

本文报道了硒镓银多晶原料合成与单晶生长的新方法———熔体温度振荡法和坩埚旋转下降法。５ ～６Ｎ 高纯Ａｇ 、Ｇａ 、Ｓｅ 单质按ＡｇＧａＳｅ２ 化学配比富０ ．５ ％ Ｓｅ 配料，１１００ ℃下合成并在熔点附近进行温度振荡，获得了高纯单相致密的ＡｇＧａＳｅ２ 多晶材料。用合成的多晶为原料，采用坩埚旋转下降法生长出２２ ×８０ｍｍ 的ＡｇＧａＳｅ２ 单晶锭。晶体外观完整，在１０ ．６μｍ 附近红外透过率达６２ ．４ ％ ，吸收系数低于０ ．０１ｃｍ － １ ，对１０ ．６μｍ ＣＯ２ 激光实现倍频，能量转换效率达１２ ％ 。

纳米CdSe的研究进展

叙述纳米 Cd Se的制备方法及其性能 .提出了采用催化剂控制纳米 Cd Se生长的设想 .

制备室温CdSe探测器的研究

报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .

CdSe单晶体的生长研究

硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高偏压下 ,漏电流很小 ,电子和空隙迁移率较大 ( μc=72 0cm2 /V·s,μh=75cm2 /V·s) ,电子俘获浓度大 (Nt=1 0 14 /cm3 ) ,电荷收集效率高 ,稳定性好 ,没有像在CdTe和HgI2 晶体中观测到的极化现象 ,力学、热学和化学稳定性能也优于HgI2 晶体。因此 ,CdSe晶体是一种有希望替代CdTe和HgI2 的室温核辐射探测器新材料 ,用其制作的探测器和各种谱仪可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。CdSe晶体熔点高达 1 2 39℃ ,在熔点附近平衡蒸汽压高达十几个大气压 ,因此其单晶体难以用常规的熔体法生长。我们采用水平气相输运法进行了CdSe单晶体生长试验 ,对其在不同温度和温度梯度下的结晶特性进行了研究 ,确定出生长六方CdSe单晶的较好工艺参量为 :源区蒸发温度 1 1 0 0℃ ,生长界面附近温度梯度为 6℃ /cm ,生长区与源区的距离大约为 1 2cm。在此条件下 ,生长出1 0× 1 2mm外观完整 ,有自然显露晶面的CdSe晶锭。

用X射线衍射方法研究AgGaSe_2晶体的完整性

采用坩埚旋转下降法生长出 Ag Ga Se2 大单晶 ,借助 X射线衍射方法研究其完整性 ,结果表明晶体具有好的均匀性和完整性 .

Cd_(1-x)Zn_xTe单晶体的生长研究

碲锌镉 (Cd1-xZnxTe)晶体是一种 80年代开始发展起来的性能优异的新型室温核辐射半导体探测器材料。其能隙大 (Eg=1 .70eV) ,主要成分Cd、Te原子序数高 ,电阻率高 ( 1 0 11Ω·cm) ,电子和空隙迁移率大 ( μe=1 1 0 0cm/V·s,μh=1 0 0cm/V·s) ,能量探测范围宽 ( 1 0keV～6MeV) ,能量分辨率高 ,抗中子和质子辐射损伤阈值亦较高。用其制作的探测器、便携式谱仪和成像系统可在室温至 1 0 0℃温度范围内广泛用于X射线、γ射线探测、X射线荧光分析、工业产品检测、环境监测、核医学成像、海关安检、遥控监测、高能物理和天体物理等工业、医学、环保、国防和科技领域。碲锌镉晶体生长难度大。由于其导热率低 ,固液界面形状难以控制 ,易产生孪晶、位错等 ,难以获得适用于器件制作的大单晶体。我们将 6N的Cd、Zn、Te单质按Cd1-xZnxTe(x =0 .0 4,0 .0 8,0 .1 2 ,0 .1 6 ,0 .2 0 )配料 ,采用熔体温度快速振荡新工艺 ,合成了单相致密的Cd1-xZnxTe多晶材料 ;并以此为原料在同一安瓿中于两温区立式炉中 ,采用坩埚旋转下降法生长出尺寸达1 0× 2 5～ 30mm的Cd1-xZnxTe( 0 .0 4～ 0 .2 0 )单晶体。典型的生长条件是 :固液界面附近温度梯度为 2 5℃ /cm ,旋转速度为 3r/min ,下降速率为 1 2mm/d。

坩埚旋转下降法生长硫镓银单晶体及其特性观测

报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单相致密的ＡｇＧａＳ２多晶材料，生长出尺寸为φ１５ｍｍ×３０ｍｍ的ＡｇＧａＳ２单晶锭．对晶体的完整性进行了结构分析，观测到ＡｇＧａＳ２｛０１１｝面族的六级Ｘ射线衍射峰呈现高级次的衍射强度异常增强的反常现象．对晶体的位错蚀坑进行了扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察．