沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响

研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得了大面积的图形化石墨烯薄膜。去除Ni后,将图形化的石墨烯保留在绝缘衬底上,采用原子力显微镜(AFM)和喇曼光谱对3种不同沉积温度下合成的石墨烯薄膜的表面形貌和质量进行了表征,研究了沉积温度对Ni辅助合成石墨烯表面形貌和导电性能的影响。结果表明,借助图形化牺牲层Ni能够在绝缘衬底Ta2O5上直接合成图形化的石墨烯,沉积温度对石墨烯的表面形貌和质量有很大影响,沉积温度在600℃时,制备的石墨烯具有较高的质量和良好的导电性能。

注水井深部调剖技术在张渠二区适应性浅析

张渠二区长2底水油藏具有高水饱,储层非均质性强,底水发育的特点,在长期的注水开发过程中,由于油藏的地质特征、储层的各项物性参数和油水界面都在发生变化,平面和剖面上的矛盾日益突出,水驱油效率变差,油井含水大幅度上升等问题大大降低了开发效果。为扩大水波及体积,提高区块开发效果,针对张渠二区地质特征,在该区块开展了注水井深部调剖试验。措施后对其效果进行跟踪分析,综合地质条件和开发动态对调剖效果进行归纳总结,认为该措施对取得了良好的成效。