掺硼（B）非晶硅（a－Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究

对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射、光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当接Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率为４．３５ｓｃｍ－１，迁移率为１４０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好的太阳电池窗口材料。

Al/SRO/Si结构中横向电压作用下的电荷俘获效应

利用 Al/ SRO/ Si MOS,对富硅二氧化硅 (SRO)材料在横向电压作用下的电荷俘获效应进行了研究 .用L PCVD法在 n型 Si衬底上沉积 SRO材料 ,通过 C- V测量研究其电荷俘获性质 .发现对于 n型 Si衬底 ,在横向电压作用下 ,SRO层能够俘获正电荷 ,电荷俘获效应与 SRO层的性质有关 .基于电位在器件内部的分布及诱导 pn结的形成 。

SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。

基于FPGA和模糊控制的模型车运动学仿真

模型车运动学仿真系统是集硬件、软件于一身的完整且复杂的系统,它在汽车驾驶模拟训练领域的市场前景非常广阔。但是,采用传统的数学建模方法,很难得到精确而又简单的数学模型。该文介绍了一种基于C8051F020和FPGA的模糊控制模型车运动学仿真系统,简洁高效地实现了对真车精确的运动学仿真,并详细地阐述了该系统的设计思想及工作流程。

脉冲电沉积法制备掺钴WO_3薄膜

利用脉冲电沉积法制备了掺钴氧化钨电致变色薄膜，并探讨了该方法的机理。利用后续退火处理使之结晶。测定了掺钴和不掺钴ＷＯ_３薄膜的结构特性、电化学特性及透射光谱，并研究了金属钻的掺杂对这些特性的影响。

Cu_2SnS_3薄膜的制备及性能研究

采用 LBL(layer- by- layer)法制备了 Cu2 Sn S3 薄膜。即首先采用电化学方法在 Sn O2 衬底上制备 Sn S薄膜 ,然后又在其上用化学沉积法制备 Cu S薄膜 ,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的 Cu2 Sn S3 薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2 Sn S3 ) 72 z(三斜或假单斜晶系 )结构 ,其直接光学带隙约为 1 .0 5 e V。

多晶硅薄膜后氢化的研究

本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对a－Si及poly－Si薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件。对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量、分析。结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能。利用后氢化技术对poly－SiTFT器件进行了处理，获得了满意的效果。

WO_3/Ni(OH)_2·xH_2O电致变色薄膜的电色互补性研究

对WO_3／Ni（OH）_2·xH_2O这两种电致变色薄膜的电色互补性原理及其电色特性进行了研究，发现利用三氧化钨和氧化镍薄膜的电色互补性能够较好地改善双层膜的电色特性。为灵巧窗等电色器件的应用奠定了理论基础。

乙醇对含水氧化镍薄膜电色特性的影响

研究了在脉冲电沉积法制备合水氧化镍薄膜中，乙醇对薄膜的结构特性及电色特性的影响。实验表明，在电沉积液中加入乙醇将明显改变材料的结晶特性，并对提高薄膜的变色速度起着重要的作用。

LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜

针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。

电化学沉积氧化镍薄膜的制备及其电致变色

本文利用正交实验，对电沉积氧化镍薄膜的制备技术进行了研究，找出了基底的最佳预处理条件和制备条件，并对薄膜的电色性能及结构特性进行了研究。

一类新型的薄膜多晶硅材料与器件的制备方法及其研究现状

本文介绍一类新型的薄膜多晶硅材料及器件的制备方法－后续退火方法并对其研究现状进行评述。对制备过程中初始材料的沉积条件，后续退火条件、以及后氢化处理等诸多环节对薄膜多晶硅材料的性能的影响进行了讨论。最后介绍了用后续退火方法制备薄膜多晶硅太阳电池及多晶硅薄膜场效应管的研究结果。

离子在Ni(OH)_2电致变色材料中的传输

本文研究离子在Ｎｉ（ＯＨ）２电致变色材料中的传输特性。用电化学测试求出了离子的扩散系数。通过研究扩散系数与温度的关系，证明了离子的传输是一个在晶界间的跳跃输运过程。对于固／液两相电致变色体系，决定开关时间的主要因素是界面。样品的光密度随着其厚度的增加而线性增大，说明整个厚度内（≈３３５０）离子都可以参与氧化还原反应。样品的基底也是影响其电色特性的因素之一。

电沉积法制备SnS薄膜

采用了电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备了硫化锡 (Sn S)薄膜 ,并对用电化学法实现 Sn和 S共沉积的条件参数进行了理论探讨。实验中 ,利用 Sn Cl2 和 Na2 S2 O3的混合水溶液作为电沉积液制备了均匀的 Sn S薄膜 ,对实验参数进行了优化。对薄膜进行了 X-射线衍射 (XRD)、扫描电子显微 (SEM)测量及光学测试。实验发现 ,制备的薄膜为多晶的斜方晶系结构 ,晶粒大小约为 15 0 nm,直接光学带隙在 1.36～ 1.73e

电沉积法制备CoS薄膜

采用电沉积法在 Sn O2 透明导电玻璃上制备 Co S薄膜 ,电沉积液为 Co Cl2 、Na2 S2 O3和 EDTA的混合溶液。探讨了利用电化学法实现 Co S阴极式共沉积的机理 ,并研究了制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。制备的薄膜为多晶的γ- Co6 S5结构 ,属于立方晶系 ,直接光学带隙在 1.0 9～ 1.49e

无水化学沉积法制备Sb_2S_3薄膜

采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜.先用无水乙醇将4.0 mL浓度为0.1 mol/L的SbCl3乙醇溶液稀释至39.6 mL,再加入0.4 mL浓度为0.5 mol/L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18 ℃温度下沉积72 h后,进行退火处理.利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙.结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1.86 eV降低为1.75 eV.

硅中注入高浓度碳形成微晶碳化硅的研究

为实现 OEIC的全 Si化 ,以适应稀土 Er发光的宽带隙半导体材料。研究了 C- Si基底上注 C形成微晶碳化硅 (μ c- Si C)的途径。经高浓度注 C,在 110 0～ 10 0 0℃ 2 h退火 ,经 X- ray与 Raman测试证明可以获得 μ c- Si C结构。因为在宽带隙 μ c- Si C中能量回传很少 ,故对 Er在波长 1.5 4

WO_3薄膜的后氧处理及其红外反射率研究

本文采用“改进电沉积法”制备 WO3薄膜 ,并研究了该薄膜的后氧处理方法 ,以及后氧处理条件对薄膜的电化学特性 ,尤其是红外反射率的影响。结果表明 ,经该方法处理过的薄膜 ,其红外反射率调制能力提高 8%。

CoSnS_2薄膜的制备及性能研究

采用两种方法制备了CoSnS2薄膜。在两步电沉积法中,先沉积SnS薄膜,再在其上制备CoS沉积薄膜,最后进行退火处理形成厚度约为1250nm的CoSnS2薄膜。在三元共沉积法中,加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠)配合剂来调整Sn、Co、S的沉积电势以实现这三种元素的共沉积,从而一步形成厚约620nm的CoSnS2薄膜。探讨了薄膜的制备机理和制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。得到的薄膜为多晶γ-Co6S5(立方晶系)和SnS(斜方晶系)结构,其直接光学带隙和间接光学带隙分别在1.05～1.25eV和0.11～0.71eV之间可调。