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题名TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺
被引量:2
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作者
辛玉洁
于春崎
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机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
长春方圆光电技术有限责任公司
中国科学院研究生院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1080-1083,共4页
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文摘
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。
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关键词
薄膜晶体管
5次光刻
背沟道刻蚀型
背沟道保护型
a-Si岛
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Keywords
TFT
5PEP
back-channel-etching
back-channel protection
a-Si island
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
O484.1
[理学—固体物理]
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题名像素设计中沟道宽和长的选择
被引量:3
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作者
汪梅林
于春崎
汪永安
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机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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出处
《现代显示》
2007年第5期24-26,共3页
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文摘
讨论了沟道宽(W)和长(L)对薄膜晶体管的开态电流(I_(on)),关态电流(I_(off))、开口率以及跳变电压(△V_p)的影响。
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关键词
薄膜晶体管
沟道宽(W)
沟道长(L)
开态电流(Ion)
关态电流(Ioff)
开口率
跳变电压
(△Vp)
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Keywords
TFT
channel wide
channel length
Ion
Ioff
aperture ratio
feed through voltage(△ Vp)
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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