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TFT5次光刻背沟道刻蚀型与保护型工艺 被引量:2
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作者 辛玉洁 于春崎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1080-1083,共4页
5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通... 5次光刻工艺(简称5PEP)是一种新的研究,分为背沟道刻蚀型和背沟道保护型。5PEP改变了TFT结构和原理,相对于常用的7 PEP可缩短生产周期,减少使用设备,提升成品率,降低成本。研究制定了背沟道刻蚀型与背沟道保护型5PEP的主要工序步骤,并通过50.8 mm液晶屏多次小批量投产进行试验。探讨了刻蚀型5PEP中a-Si岛刻蚀不良、SiNx刻蚀跨断等问题。取得合理的工艺参数,使5PEP能应用于小尺寸液晶屏的TFT量产。 展开更多
关键词 薄膜晶体管 5次光刻 背沟道刻蚀型 背沟道保护型 a-Si岛
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像素设计中沟道宽和长的选择 被引量:3
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作者 汪梅林 于春崎 汪永安 《现代显示》 2007年第5期24-26,共3页
讨论了沟道宽(W)和长(L)对薄膜晶体管的开态电流(I_(on)),关态电流(I_(off))、开口率以及跳变电压(△V_p)的影响。
关键词 薄膜晶体管 沟道宽(W) 沟道长(L) 开态电流(Ion) 关态电流(Ioff) 开口率 跳变电压 (△Vp)
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