ITO超细粉末的研制

应日本SEI公司的要求，通过大量的试验，研究出制备超细ITO粉末（In2O3-SnO2的独特工艺，使一次平均粒径达02～0.3μm，比日本目前水平平均粒径l1～3μm约小一个数量级．用它制备的透明电极ITO薄膜，相对密度（R．D值）高达95％～98％，高于日本市场要求的技术水平．本工艺具有极好的再现性，大大地简化了工序减少了玷污，为工业生产透明电极材料ITO超细粉末创造了条件．

ITO超细粉末的研制

应日本SEI公司的要求 ,通过大量的试验 ,研究出制备超细ITO粉末 (In2 O3—SnO2 )的独特工艺 ,使一次平均粒径达 0 2～ 0 3 μm ,比日本目前平均粒径 1～ 3 μm小约一个数量级。用它制备的透明电极ITO薄膜 ,相对密度 (R .D值 )高达 95 %～ 98%,高于日本市场要求的技术水平 .本工艺具有极好的再现性 ,大大地简化了工序 ,减少了玷污。为工业生产透明电极材料ITO超细粉末创造了条件。

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