SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性

偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O_(2)体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。

栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响

阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。

机电安装工程的项目管理

机电设备安装及调试是企业改造的核心内容为了能够更好的完成机电安装工程,对机电安装进行项目管理的工作越来越重要,本文分析了机电安装工程项目的特点,对机电安装工程项目管理进行阐述。

采煤机液压系统故障树分析

煤矿灾害给我国的煤炭行业带来了巨大的经济损失,并致使人员伤亡,对煤矿安全生产造成极大的危害。由煤矿设备故障引发的煤矿灾害在煤矿安全事故中占有很高的比例。对煤矿设备故障进行及时有效的诊断与预测,对于煤矿安全生产具有重要意义。

600MW超临界锅炉中隔墙开裂原因分析

针对600MW锅炉安装现场反复出现12Cr1MoV中隔墙开裂的现象,对开裂管段进行宏观、金相、电镜、化学、力学等分析,认为焊接和热处理过程中产生的焊接应力在强拘束条件下诱发鳍片焊接缺陷扩展是导致中隔墙管材开裂的原因,提出扩大加热范围和加长鳍片割开长度避免裂纹缺陷的建议。

记住,你不是一个人在战斗

近年来，眼镜店生意难做、进店顾客减少现象时有发生，眼镜店面临着业绩停滞不前、货品积压等赤裸裸的现实，身在前沿一线的店长们，无疑压力是最大的，面对如此困境该如何做呢？ 我想说的是：不要心灰意冷，首先要记住，你并不是一个人在战斗。店长重要的是带好团队，抱团战胜当前这个大环境。店长虽然是一家店的灵魂人物，但在当前同业竞争激烈，顾客需求日趋多元化和个性化的经营环境下，店长和店员间需要相互配合，相互合作，为团队树立信心，传递希望，大家一起不忘初心，风雨同行。

机械设计与机械制造的技术分析

机械的设计以及制造工作可以为一项工程的最终质量做出十分有力的保障,而且一项工程的实际性能与质量可以直接的影响到企业的进步发展以及人们的生命财产安全.机械的设计工作以及制造工作这两者之间存在着息息相关的关系,可以对机械整体的制造以及经营起到决定性的实际作用.如果想要实际进行机械的制造工作前提是要有一个科学合理的设计方案,所以说机械的设计工作是实际进行制造工作的基本条件,可以从根本方面保证机械的制造工作顺利的进行.本文全面的研究了机械的设计以及制造工作在实际进行过程中具有的特征,并且根据目前我们国家对新型机械的设计工作以及制造工作的实际情况,分析了日后机械设计以及制造的整体进步路线.

春小麦地膜覆盖穴播栽培技术试验结果初报

通过试验证实了小麦覆膜穴播栽培技术的增产作用，并对小麦覆膜栽培的增产机理作了初步探讨，通过多点品种试验及密度试验，初步得出了阜新县小麦覆膜栽培的适宜品种和适宜密度，并初步提出了小麦覆膜栽培的技术措施。

外伤性晶体后脱位及人工晶体脱入玻璃体临床分析及处理

总结外伤性晶体脱位及人工晶体脱入玻璃体腔的病例 ,选择手术方法。方法 :通过 12例进行回顾性分析。结果 :伴有并发症的外伤性晶体后脱位 ,手术治疗去除脱位晶体 ,全部取出成功 ,眼压得到控制 ,视力均有提高。人工晶体掉入玻璃体腔的病例 ,在玻璃体切割手术直视下行人工晶体取出 ,合并人工晶体睫状沟缝线固定术 ,取得成功。对伴有视网膜脱离者在玻璃体切割手术中行晶体切除联合眼内光凝、冷凝、环扎术 ,使视网膜脱离复位成功。结论 :外伤性晶体后脱位及人工晶体掉入玻璃体腔 ,长期停留均产生并发症 ,应早期及时取出晶体 ,消除隐患。玻璃体手术合并晶体摘除 ,应用重水辅助晶体漂浮 ,手术更易进行 ,经角膜缘切口取出晶体 ,再植入适宜的人工晶体 ,是比较理想的方法。