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PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
1
作者
李冰寒
于涛易
华晓春
《集成电路应用》
2023年第4期48-51,共4页
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力...
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层,可以有效改善PMOS NBTI寿命。
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关键词
集成电路制造
PMOS
负偏压温度不稳定性
工艺优化
下载PDF
职称材料
题名
PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
1
作者
李冰寒
于涛易
华晓春
机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
出处
《集成电路应用》
2023年第4期48-51,共4页
文摘
阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小,器件可靠性问题日益突出,特别是PMOS负偏压温度不稳定性(NBTI),逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应,设计一系列实验。结果表明,在PMOS源漏结形成过程中,增加F离子注入,以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层,可以有效改善PMOS NBTI寿命。
关键词
集成电路制造
PMOS
负偏压温度不稳定性
工艺优化
Keywords
integrated circuit manufacturing
PMOS
negative bias temperature instability
process optimization
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究
李冰寒
于涛易
华晓春
《集成电路应用》
2023
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