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在不同退火温度下射频磁控溅射CN_x膜的电子场发射性质 被引量：1
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作者 李哲奎 李俊杰 +5 位作者 金曾孙 吕宪义 白晓明 郑冰 田宏伟 于狭升 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期182-184,共3页
对磁控溅射沉积得到的CNx膜在不同温度下进行真空退火,退火前后CNx膜的化学键合采用X射线光电子能谱表征.结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究.
关键词 射频磁控溅射 CNx膜 退火温度 电子场发射
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