ZnO:Al/n-ZnO/p-GaN异质结电致发光特性研究

利用ZnO和GaN材料制备了ZnO:Al/n-ZnO/p-GaN透明电极异质结发光二极管。通过SEM、TEM和荧光光谱对ZnO纳米棒进行了结构表征和发光特性表征。通过半导体特性分析系统和光谱测试技术对ZnO:Al/n-ZnO/p-GaN异质结进行了电致发光性能测试和机理分析。结果表明该器件能产生有效的蓝紫色电致发光,其发光分别来自于n型ZnO、p型GaN以及界面辐射;并且采用ZnO:Al作为透明电极可以提高该器件的出光效率。该异质结可应用于高效率短波发光器件。

SnO_2纳米线制备及缺陷态发光研究

利用气相传输法制备二氧化锡纳米线,通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)及高分辨透射电子显微镜(TEM)对产物晶体结构、形貌和微结构进行了表征.该样品荧光光谱中主要包含两个发光带,分别位于360 nm及445 nm.X射线光电子能谱(XPS)结果显示该纳米结构产生的蓝色缺陷态辐射主要源于氧空位产生的缺陷态深能级.