低辐射DGS及其串扰分析

在传统哑铃形缺陷接地结构（DGS）的基础上,设计出一种新型低辐射DGS。该结构既具有传统DGS的优良电路性能,又大大降低了由于接地面蚀刻缺陷图案而引起的无意辐射。进一步仿真分析了低辐射DGS的串扰,结果表明低辐射DGS近端串扰峰值电压较哑铃形DGS下降60%,远端串扰峰值电压下降了36.8%,证明低辐射DGS能大大降低由于DGS的应用对周围电路产生的影响。与接地面完整的平行微带线相比,低辐射DGS近端串扰略大,但远端串扰在4~6 GHz频段内存在阻带,当受扰线工作在远端串扰的阻带频段内,对远端串扰的抑制效果十分明显。