在激光下几种磷酸盐溶液的折光规律

研究了KH_(2)PO_(4)、KD_(2)PO_(4)、NH_(4)H_(2)PO_(4)溶液、H_(2)和D_(2)O对激光的折光性。测定了它们对He-Ne激光和钠光的折光率温度系数及色散能力。确定了不同溶液折光指数与浓度的关系。单独给出了几种饱和溶液的折光规律,并用激光纹影法精确测定了相应溶液的饱和度数据。

新型非线性光学晶体台阶动力学与生长机理∶ATMB

用相衬微分干涉显微术连接全息图象自动分析系统，实时研究了新型非线性光学晶体：有机金属配合物—ＡＴＭＢ晶体生长表面形貌和台阶运动规律。揭示了该晶体是一种典型的多二维成核－层生长－准法向生长机制。当晶体为层向生长时，速度较慢，台阶运动速率与过饱和度之间的关系呈非线性变化，台阶上升有效表面能约为１７．３×１０－９Ｊ／ｃｍ２。当晶体为准法向生长时，晶体均匀透明，速度较快。欲获得快速生长高质量的单晶体，应选择准法向生长条件为宜。

亚稳相DKDP晶体生长动力学的全息研究

用全息相衬干涉显微术和激光衍射术研究了亚稳相ＤＫＤＰ晶体生长速率和边界层的质量输运过程，并与稳定相进行了比较。层内的质量输运过程是扩散和对流两种作用的耦合效应，层内浓度分布是位置的指数函数。亚稳相晶体（１０１）面生长活化能比稳定相低的多。在相同的条件下，其生长速率比稳定相快３～１０倍。欲快速生长优质ＤＫＤＰ大晶体，应控制稳定的边界层内质量输运过程，并采用亚稳相生长方法。

用全息术研究溶液的扩散

本文从扩散机理和实验技术上,详细讨论了激光全息术用于研究溶液扩散的问题。给出了准确测量扩散系数的必要条件和实验技术。用实时和二次曝光全息术,在全息图上引入参考条纹系,较方便地研究了KDP-水体系的扩散过程,并研究了KDP溶液的不同浓度和不同浓度差对扩散系数的影响。测量了KDP和蔗糖水溶液的扩散系数,并与其他方法进行了比较。

无位错二溴三丙烯基硫脲合汞(ATMB)晶体生长机制

无位错二溴三丙烯基硫脲合汞（ＡＴＭＢ）晶体生长机制于锡玲孙毅侯文博程振翔张树君（山东大学晶体材料国家重点实验室，济南２５０１００）ＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＤｉｓｌｏｃａｔｉｏｎＦｒｅｅＡＴＭＢＣｒｓｙｔａｌｓＹｕＸｉｌｉｎｇＳｕｎＹｉＨｏ...

KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究

采用迈克尔逊干涉技术 ,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性 .实验表明 ,KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大 ,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为 10 .3× 10 -2 和 5 .2 1× 10 -2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化 。

晶体生长领域的重大进展

第12届国际晶体生长会议(ICCG12)于1998年7月26～31日在以色列耶路撒冷召开。会议由国际晶体生长组织(IOCG)发起,由以色列晶体生长协会主办。与会代表572人,来自世界42个国家和地区。会上交流论文871篇,其中口头报告298篇,展讲573篇。我国有8名代表与会,提交论文18篇,其中专题报告4篇。

晶体学的最新发展

第19届国际晶体学代表大会(IUCrⅩⅨ)于2002年8月6日至15日在瑞士日内瓦召开。该会是每3年一次的高水平的国际系列学术盛会,由国际晶体学联合组织(IUCr)发起,以色列晶体学会主办,瑞士晶体学会协办(会议地点原计划在以色列、耶路撒冷召开,由于9·11事件,国际组委会决定将会址移至日内瓦市)。与会代表1 877名分别来自54个国家,大会接受论文1 715篇,其中大会重点报告34篇,其余分别在95个小型会议和平行进行的墙展会议上演示。中国大陆代表20人,台湾17人,大陆论文20篇,台湾论文17篇,分别在小型会议和墙展会议上演示。

迅速发展的晶体学

第17届国际晶体学会议于1996年8月8～17日在美国西雅图举行。大会交流内容分为24类,147个专题,共在会上发表论文4710余篇。1 缺陷产生机制虽然完美理想的晶体很难存在,但人们对缺陷起源的认识非常有限。荷兰J.P.VanDerEerdon博士报告了在晶体生长期间,缺陷产生机制的一般思想:从分子尺度和热运动的观点描述缺陷的起因是恰当的。这种思想被Monte Carlo分子运动模拟结果所支持。实际上,杂质是缺陷产生的出发点,在表面附近杂质的积聚导致产生面缺陷和线缺陷。

有机非线性光学晶体一水甲酸锂的研究综述

甲酸盐晶体是一族引人瞩目的非线性光学材料 ,一水甲酸锂 (LFM)是甲酸盐系列中综合性能优良的晶体之一。本文较全面地介绍了一水甲酸锂晶体的发展、生长技术、生长机理及其非线性光学性能。指出一水甲酸锂是很有发展潜力的紫外非线性光学有机晶体 ,并提出了进一步开发其应用需要解决的问题。

国际晶体生长会议述评

第11届国际晶体生长会议(ICCGXI)于1995年6月18—23在荷兰海牙市的荷兰大会中心(Netherlands Congress Centre)召开。与会代表730多人来自41个国家和地区,其中日本和德国参加人数最多,其次为美、荷、英、俄和法等国。我国出席会议共7人。会议交流论文共1151篇,其中口头报告146篇,展讲996篇,电视9篇。

国际电子材料大会要览

国际电子材料大会(ICEM2000)是国际材料研究联合组织(IUERS)发起,每两年举办一次的国际高级学术会议。本次会议由欧洲材料研究学会(E-MRS)主办,于2000年5月30日至6月2日在法国斯特拉斯堡召开。与会代表1700人,接受学术论文1889篇,其中大会报告6篇,分会报告874篇,墙展1018篇。中国内地代表18人,接受论文35篇,其中报告16篇(大会报告2篇),墙展19篇;台湾代表提供论文28篇,包括报告14篇,墙展14篇。我国航空研究院北京航空材料研究所吴学仁博士获得国际合作奖,并作了大会报告。他与美国J.C.Newman博士合作研究的"高强度铝合金中小裂缝效应和预报材料疲劳寿命的有效分析方法"在美国和中国的航空工业中已被应用。他们的研究为提高航空器结构的可靠性和安全性作出了重要贡献。

一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究

本文实时测定了 312 .16K时一水甲酸锂晶体 (LFM ) (0 10 )和 (0 2 1)面的生长速率。根据Bennema修正的用于水溶液晶体生长的BCF表面扩散模型 ,计算了晶体生长过程的激活能以及动力学系数。结果表明LFM晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。

基于GA和BP算法复合调节的模糊神经网络控制器

为了克服单独应用遗传算法或BP算法调节模糊神经网络控制器参数时存在的缺陷,提出了一种将二者复合的方法,即在传统的GA中加入一个BP算子,以充分利用二者各自的优点。而在GA中引进了动态的交叉和变异率,在BP中引进动态的学习率,从而更有效地提高其收敛速度和执行效率。计算机仿真结果表明,用该复合算法调节的模糊神经网络控制器的性能明显优于传统的算法调节的控制器。

宝石晶体中氢氧根离子的红外振动吸收

通过比较原生态白宝石和钛宝石晶体中的氢氧根离子的红外振动吸收光谱，明确证明钛宝石晶体中的只有 ３３０９ ｃｍ－１带与晶体中的钛离子有关， ３２３２ ｃｍ－１和 ３１８７ ｃｍ－１等带跟钛离子并无关系，引起 ３３０９ ｃｍ－１带的氢氧根离子的近邻必定有四价钛离子．在白宝石和红宝石晶体中，引起 ３２７８ ｃｍ－１带的氢氧根离子的近邻会有铬离子出现，提出 ３２７８ ｃｍ－１带是邻近于二价和四价铬离子对的氢氧根的振动吸收带．

一水甲酸锂单晶生长和(110)面边界层的全息研究

本文合成一水甲酸锂原料 ,选择适宜生长条件 ,用水溶液法培育出完美一水甲酸锂单晶 (LFM)。利用全息相衬干涉显微术对 (110 )面边界层特性进行实时观测和研究。实验表明 ,在自然对流情况下 ,边界层内折射率梯度分布函数Δn(x)和浓度分布函数Cx(x)为指数形式 ;另外 ,体过饱和度与晶面过饱和度之间呈指数关系。

蓝紫光倍频材料硫氰酸汞镉晶体生长动力学和机理的研究

利用倒置相差显微镜观察了用于蓝紫光倍频的硫氰酸汞镉晶体 (CdHg(SCN) 4 )在 3%的KCl溶液中的生长形貌 :在 (10 0 )面上呈现为生长直线台阶列 ,在锥面上呈现生长丘。在溶液循环流动的情况下测量了晶体的生长速率 ,发现晶体在过饱和度低于 2 .5%时不生长。计算了晶体不同面的界面相变熵因子。通过三者综合分析得到晶体为多二维成核生长机制。

用激光衍射计量技术对CdTe单晶生长的研究

本文首次把激光衍射计量技术应用到晶体的高温气相生长动力学的研究工作中来.在闭管无籽晶升华法制备CdTe单晶的实验过程中,实时、连续、精确地测定了生长速率,并讨论了生长速率随过饱和度(△T)及生长时间的变化关系.实验测试精度达 10^(-6)m/s.

ATMB晶体生长形貌和机制的实时显微研究

用相差显微镜和诺曼斯基干涉术买时研究了ATMB晶体生长表面形貌和台阶运动的演变过程.将计算机图象自动处理系统引入晶体生长台阶的研究中,提高了实时处理的速度和精度.测量了ATMB晶体(1012)面生长台阶列的高度和台阶推移速率V.研究了晶面法向速率与过饱和度的关系以及不同过饱和度下晶体生长机制的转变情况,得出了ATMB晶体是二维成核层状生长机制.

甲酸钠/甲酸锂溶液的拉曼光谱研究

结合实际晶体的生长条件,探讨了不同温度、不同过饱和度下的甲酸钠和甲酸锂水溶液的Raman光谱,对谱峰进行认定和Gaussian多峰值拟合。分析温度、浓度、过饱和度及阳离子效应对溶液结构的影响,并比较分析甲酸锂溶液结构和一水甲酸锂晶体结构的差异。结果表明:在实验的条件下,浓度、温度、过饱和度对溶液结构影响微小;阳离子对谱峰位置影响显著。