集成电路技术发展对电磁兼容的影响

介绍了集成电路制造业发展的主要趋势,包括复杂度、工作频率、器件性能、供电电压以及器件之间数据交换等。总结了微米级到纳米级CMOS工艺集成电路性能对应的工艺发展节点,讨论了技术演变对集成电路电磁兼容(EMC)的影响,并基于最近几年发表的一系列学术论文综述了集成电路电磁兼容的研究现状。

提高集成电路电磁兼容性的研究方法

为提高集成电路的电磁兼容性能,科研人员一直致力于测量方法、预测寿命和工艺技术等领域的研究。文章基于已发表的50余篇文献,从电磁屏蔽、芯片布局优化、滤波、扩频、测量优化、发射预测、抗扰度预测和EMC感知组件选择等方面,综述了近几年IC EMC领域的最新研究成果,旨在为IC EMC设计人员提供参考。