低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响

利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。

高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀

初步研究了采用C l2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射A l0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺。采用离子束溅射生长的N i作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加。采用传输线模型测量了刻蚀前后A lGaN材料方块电阻的变化,分析了干法刻蚀电学损伤与直流偏压的关系。用扫描电镜(SEM)观察了不同直流偏压下刻蚀台面形貌,并对其进行了分析。

基于Ⅲ族氮化物材料的光电子器件技术

1引言 Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极晶体管、微波电子器件、高温电子器件等.目前最主要的、应用最广的Ⅲ族氮化物器件是紫外探测器和光发射器件.

Ⅲ族氮化物材料

1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义 关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发展.自然界不存在天然的Ⅲ族氮化物晶体,为了制备高质量的单晶,目前普遍采用外延法生长.外延法主要有分子束外延(MBE)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、氢化物汽相外延(HVPE)等.有了高质量的单晶薄膜,才使相应材料特性的研究及器件的制备成为可能,同时人们对Ⅲ族氮化物也有了进一步的认识.Ⅲ族氮化物优良的特性也越来越引起人们的兴趣.

火灾自动报警系统可靠性研究

火灾自动报警系统主要包括火灾探测器、火灾报警控制器、减灾装置和灭火装置4部分,从这4部分分析了其工作原理。在此基础上,着重分析了误报、漏报概率较高的火灾探测系统(包括火灾探测器和火灾报警控制器)在使用过程中可能出现的失效状态。其失效的根本原因是在探测器的设计、选型与安装中出现的问题以及各类控制器和控制软件出现的问题。火灾自动报警系统在设计、安装和使用过程中出现的一些问题可能导致整个系统失效,主要包括硬件故障、系统失误和管理缺陷3类。因此,从火灾自动报警系统设计、软硬件产品质量、选型与安装及维护保养等方面给出了提高火灾自动报警系统可靠性的措施。最后应用系统安全及可靠性理论建立了包括电源系统、触发装置、报警控制装置和警报装置4个指标的火灾自动报警系统可靠度计算模型。

128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.

Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展

文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述。

焦平面输入电路研究

在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p!i!n光伏探测器来说约为106Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。

面向对象的软件测试

面向对象软件测试是提高面向对象软件质量和可靠性的关键.然而.面向对象软件测试的理论研究和工程实践在我国还几乎是一个空白.面向对象所具有的类、封装、继承、动态连接等特性,使得面向对象测试步骤的划分以及测试策略的选择有别于传统的测试思想,也增加厂测试用例的设计难度.本文针对面向对象软件的特点.研究厂面向对象软件测试的原理、策略、方法.主要研究厂类测试和集成测试方法.

GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。

Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明,在N2气中550°C退火3 min对材料的电学性能有明显的改善作用。

Cl_2/Ar/BCl_3ICP刻蚀AlGaN的研究

感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。

GaN紫外焦平面注入效率研究

对CTIA和DI注入结构的GaNpin型紫外焦平面的注入效率进行了实验和数学仿真研究。测试和分析了等效串联电阻、接触电阻和读出电路输入阻抗等因素在不同条件下对注入效率的影响及其相互关系。

SiO_2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响

在采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器；利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离区域生长SiO2钝化膜；并对这些器件的性能进行了表征。通过与没有SiO2钝化膜的肖特基探测器性能比较，结果表明：SiO2钝化膜能显著地降低器件的反向漏电流，同时并不影响器件的正向开启电压；在光波长范围为300～365nm，探测器的响应率显著地提高。产生这些变化可能是SiO2钝化膜减少了肖特基探测器电极隔离区域表面缺陷的缘故。

赤铁矿用于防辐射超高性能混凝土的制备及其性能研究

防辐射超高性能混凝土是一种极其重要的防护材料,目前该种混凝土普遍存在强度不足和屏蔽辐射能力弱等问题。针对此类问题,在常规混凝土制备的基础上使用赤铁矿对天然河砂进行替换,利用修正后的A&A颗粒堆积模型计算配合比,制备出一种含赤铁矿的新型防辐射超高性能混凝土,并对这种混凝土进行工作性能、孔隙结构、抗压强度和防辐射性能测试。结果表明:赤铁矿防辐射超高性能混凝土具有较高的抗压强度,抗压强度可达到130 MPa;赤铁矿还具有较好的防辐射性能,γ射线线性衰减系数达到0.1837 cm^(-1),相对于现有防辐射混凝土,赤铁矿防辐射超高性能混凝土在防辐射的基础上,其力学性能明显提高。研究结果表明,赤铁矿是一种用于制备防辐射超高性能混凝土的较好且经济的材料。

涡街流量计涡街系数数值计算与仿真分析研究

在航天发射领域,液氧的加注系统关系到发射任务能否圆满完成,所以对于液氧流速的测量至关重要。而涡街流量计由于其性能稳定、宽量程等优点常作为液氧流速的测量仪器。经过试验仿真发现涡街流量计在低流速和高流速下涡街系数呈现出不同的特性,导致涡街流量计在低流速下其精度较低。为探究涡街流量计在低流速和高流速下其涡街系数的变化特性,对入口速度为1.0~10.5 m/s流速的涡街流场进行仿真试验,得到涡街频率和入口速度的关系图,并通过拟合曲线得到涡街频率和涡街系数的拟合曲线,最后利用得到的涡街系数曲线与平均系数进行流速的计算发现,通过曲线拟合后得到的流体流速更为精确。

电力系统远动装置及发展前景分析

现代电力系统作为一个大系统,不仅地域上分布十分辽阔,但在电气上却连为一体,在电力系统中,能源中心与负荷中心一般距离较远,因此对众多发电厂和变电站设备运行工况的管理和控制工作有需要应用远动技术来完成,远动装置还能够将厂、站端的运行状态实时数据进行上传,在电力系统运行过程中,运动装置在信息交互和系统管理方面发挥着非常重要的作用。文章分析了电力系统远动装置,并进一步对电力系统远动装置在我国的发展及前景进行了具体阐述。

快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响

利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对 Ti/ Al- Ga N接触的影响 ,氮气中 6 0 0℃退火 6 0 s可以获得欧姆接触 .实验结果表明 ,退火温度的升高导致 N元素向表面扩散和界面反应的发生 .N空位的产生形成了重掺杂的界面 ,有利于电流的隧穿 ,界面处 Al,Ti,Ga,N三元系或四元系反应产物起到降低 Ti/ Ga N接触的势垒作用 .

企业增值税纳税筹划存在的问题及发展建议

随着市场经济的不断完善,纳税筹划越来越受企业的重视。企业纳税筹划是市场经济环境下企业为增加经济效益而开展的筹措与规划,是增强企业综合竞争的有效手段。纳税筹划有利于减轻企业的纳税负担,节约资金支出,降低企业财务风险。增值税作为企业的主体税种之一,如何对其进行合理的纳税筹划,对企业来说具有很大的意义。分析企业在纳税筹划中存在的问题,提出有针对性的发展建议。

企业人力资源管理存在的问题及发展对策

针对我国企业人力资源管理的现状和存在的问题,提出要加强和完善企业人力资源管理工作,并从对树立以人为本的管理理念,建立科学的人力资源管理体系,制定培训制度,不断提高员工的综合素质,完善企业激励机制,建立客观、公正的绩效评估体系等方面提出的几点建议。