烟酸体系中烟酸含量对镀银过程及镀层性能的影响

为了在316L不锈钢材质的还原炉内壁获得光亮镀银层,研究了从烟酸体系制备银镀层的工艺,采用电化学工作站研究了电沉积性能和镀层耐蚀性,采用热反射率测试仪测试了镀层反射率,通过XRD表征不同制备条件下所得镀层的相组成。结果发现,随着烟酸浓度的增大,电沉积电位越低,镀层晶粒越小;不同烟酸浓度得到的银镀层有不同的择优取向,随着镀液中烟酸浓度的升高,镀层的耐腐蚀性降低,热反射率降低;烟酸浓度对镀层的表面光亮度无明显影响,通过对比银镀层与不锈钢基体的热反射率,发现热反射率与材料本身有很大的关系。研究得知,在烟酸体系可以获得光亮、耐蚀性好的银镀层。

亚硫酸钾配位剂及工艺参数对电镀金层热反射率及其他性能的影响

多晶硅生产的还原炉壁体热反射率的高低对电能消耗有很大的影响,过去,少有相关的研究报道。使用亚硫酸盐体系对还原炉内壁电镀金,研究了镀金电流密度、镀覆时间等对镀金层光亮度、热反射率的影响;探讨了镀液中配位剂亚硫酸钾浓度对镀层显微硬度、沉积速率及阴极电流效率的影响。结果表明:电流密度为0.4A/dm2,镀覆时间为10 min时镀金层外观质量最好,亚硫酸钾浓度为100 g/L时镀金层的显微硬度、阴极电流效率和沉积速率达到最大值;镀金层的光亮度与电流密度和镀覆时间有很大关系;镀金层的热反射率比不锈钢基体的高,光亮镀层的热反射率比半光亮镀层的高;镀液中亚硫酸钾含量的变化使得镀金层的显微硬度和沉积速率发生了改变。

分光光度法测定多晶硅生产尾气回收氢中的微量磷化氢

采用溴水作为吸收溶液，将尾气回收氢中的微量磷化氢氧化吸收、富集后生成磷酸。在酸性介质中正磷酸与钼酸铵反应生成磷钼杂多酸，用抗坏血酸还原为蓝色的络合物，然后采用分光光度法于700nm波长处测定吸光度，间接计算出磷化氢含量。实验结果表明，在0—400wg／L浓度范围内磷的线性关系良好（r=0．999），方法检出限为0．045μg／L。该方法操作快速简便，可应用于多晶硅生产尾气回收氢中微量磷化氢的测定。

铜及铜合金中铅的形态与热加工

文章描述了铅在双相铜合金中的存在形态及在热加工过程中的变化形为。讨论了含铅双相铜合金的热加工过程产生"热脆"的机理,为合理地选择和制定热加工工艺提出了相应的措施。

气体雾化中喷嘴的选择对制备微细粉末的影响

在气体雾化过程中,采用限制式喷嘴以实现超音速气流雾化,能有效细化粉末颗粒。在一定条件下,提高气/液流量比是获得较高细粉收得率的有效途径。

弥散强化铜合金的现状与发展

综述了氧化物弥散强化铜（ＯＤＳＣ）的开发历史和现状。简要介绍了其制造工艺技术及有关性能特点、主要应用领域和发展前景。

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定工业硅中8种杂质元素

采用电感耦合等离子体原子发射光谱仪的耐氢氟酸惰性进样系统,在样品用氢氟酸、硝酸、高氯酸溶解完全后无需赶尽氢氟酸和硅基体,直接进样,电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定了工业硅粉中铁、铝、钙、钛、锰、镍、硼和磷8种杂质元素。因为在溶样过程中大部分基体硅已挥发除去,基体效应对铁、铝、钙、钛、锰、镍的测定没有影响,但是对硼和磷的测定仍有影响,这种影响可以采用垂直观测方式克服。按照空白值的3倍标准偏差计算方法的检测限,得到铁、铝、钙、钛、锰、镍、硼和磷的检测限(w/%)分别为0.004,0.001,0.004,0.001,0.000 1,0.000 1,0.000 04和0.000 06。方法已用于工业硅中上述8种杂质元素的测定,测定值与标准方法(GB/T 14849.4—2008)的测定值或认定值相符。

高频红外吸收法测定工业硅中碳

研究了高频红外吸收法测定工业硅中碳含量的主要影响因素,包括坩埚选择、氧气纯度、助熔剂选择及加入方式、样品量、助熔剂与样品的混合方式以及质量配比等方面,确定了最佳的检测条件.结果表明,采用经过预处理的超低碳硫分析专用坩埚、高纯氧气和钨锡铁复合助熔剂,样品燃烧充分,碳释放完全,分析结果稳定,空白值最低为0.001 0％.采用实验方法对实际样品进行分析,结果的相对标准偏差为2.5％～4.4％;对工业硅标准样品分析时测量值与认定值一致.

高强高导弥散强化铜材料可锻性研究

对高强高导弥散强化铜材料的可锻性进行了实验研究。针对预成形坯材料在锻造过程中出现裂纹的问题 ,制定了预成形坯材料相对密度对可锻性的影响 ,打击能量对预成形坯材料可锻性的影响 ,应力状态对预成形坯材料可锻性的影响 ,预成形坯材料的高径比对可锻性的影响四种实验方案进行研究 ,研究表明 :使用合理的工艺参数能够对低塑性的弥散强化铜材料进行锻造加工 ,可以大大改善材料的工作性能。

硅芯制备技术及对沉积多晶硅棒杂质的影响

本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术的工艺流程,并对两种不同技术路线制备硅芯过程中的杂质分凝、挥发及坩埚污染进行了比较。根据分析结果,采用区熔硅芯能在一定程度上降低硅芯对硅棒的杂质贡献。

弥散强化铜锻造性的研究

对弥散强化铜的锻造性进行了研究。针对预成形坯在锻造过程中出现的裂纹问题 ,研究了预成形坯的相对密度、高径比、锻造能量、变形时的应力状态对其锻造性的影响。通过研究表明 :使用合理的工艺参数能够对低塑性的弥散强化铜进行锻造加工 。

定向凝固法制备铸造多晶硅技术现状及发展综述

光生伏特效应是将太阳能转化为电能的重要途径之一。提高电池效率和降低生产成本,是光伏产业大规模发展面临的核心课题。铸造多晶硅技术因其相对低的生产成本和较高的转化效率,市场份额迅速增长。对定向凝固法制备铸造多晶硅的工艺原理进行了简介,对铸造多晶硅制备技术的发展进行了回顾,并对当前的准单晶铸造、计算机模拟、高效多晶等研究热点的发展现状进行了综述。

产业化制备弥散强化铜材料的性能及工艺研究

研究了产业化制备弥散强化铜材料的力学性能、导电性能、微观结构,对产业化制备弥散强化铜材料工艺因素及现有工艺存在问题进行了分析与讨论。

高强高导氧化铝弥散强化铜材料中试技术研究

在氧化铝弥散强化铜复合材料应用研究的基础上,基于氧化铝充分生长及均匀弥散的控制和材料中存在氧化铝颗粒难于塑性加工等一系列影响材料性能与规模化生产的问题,进行了中试技术试验研究。通过控制内氧化、初坯密度、初始粉体粒度组成、包套抽气净化、挤压一、二次形变及预成形坯锻造等工艺参数,对材料性能及加工成品率进行的试验表明,选择合理的工艺参数,可通过常规的装备手段实现氧化铝弥散强化铜复合材料的中试生产。

稀土对锌铝合金ZnAl-27性能的改善

在锌铝合金ZnAl- 2 7中添加适量稀土 ,可改变原来锌铝合金的组织结构 ,使粗大晶粒细化 ,网状结构消失 ,第二相在晶粒内部析出 ,呈细小、均匀分布的弥散相 ,从而提高了合金机械性能 ,改善了合金耐磨、耐蚀性 ,进而扩大了合金的应用范围 。

铝和铝合金晶粒细化剂(A1TiC)产业化开发

介绍了A1TiC晶粒细化剂的发现、发展以及它较好的性能;昆明冶金研究院产业化开发的项目来源、依据、目标,已经开展的工作;以自行研制的A1TiC在数家铝厂的实际应用结果以及产品市场经济分析,说明了该工作最终产业化完成后良好的经济、社会效益前景。

制造工艺对粉末冶金铬靶性能的影响研究

对粉末冶金铬靶的制造工艺及其对铬靶材料性能的影响进行了详细的试验研究与讨论，获得优化的工艺组合．

直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析

半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高。讨论了由于石英坩埚中受主杂质污染对硅单晶棒电学性能的影响,并对杂质渗入量进行了定量分析。结果表明,随着晶体生长时间的延长,石英坩埚的Ba涂层被破坏,杂质的渗入速率快速增加。试验中杂质总渗入量超过700μg。

图像分析仪在铝合金定量金相分析中的应用

定量测定铝合金显微组织的各相百分含量和晶粒度是进行铝合金性能研究的重要手段,金相图像分析仪的应用,消除了传统方法的人为影响,使测定结果准确度大幅度提高,试验得到了A356.2铝合金的Al-Si共晶体含量和1070铝合金的晶粒度。

微波技术在多晶硅制备过程中应用研究

多晶硅的制备过程是光伏产业链的重要组成部分,本文在概述微波与材料相互作用机理基础上,以硅材料中多晶硅制备过程为例,提出多晶硅生产中现有方法存在的问题,并对微波技术在多晶硅制备中的应用,以及微波反应器研究进展进行了阐述,最后展望了微波技术在多晶硅制备过程的应用前景。