利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-...利用新型铁电材料Na 0.5 Y 0.5 TiO 3(NYTO)薄膜高介电的特点,将其作为MFIS(metal-ferroelectric-insulator-semiconductor,MFIS)电容器的绝缘层,制备出Pt/Pb(Zr 0.2 Ti 0.8)O 3/NYTO/Si结构电容器,并对其进行XRD、SEM、C-V特性测试及I-V特性测试分析.分别对C-V存储窗口(记忆窗口,memory window)与应用电压以及绝缘层膜厚的关系进行了研究,结果表明记忆窗口数值比较理想.绝缘层厚度为40 nm、电容器的应用电压为32 V时,记忆窗口可达13 V.对制备的MFIS电容器I-V特性进行了研究,结果表明器件具备较低的漏电流密度,为1.08×10-6 A/cm 2,且其电流传导机制符合空间电荷限制电流导电机制.展开更多
