文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum...文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum,CBM)和价带顶(valence band maximum,VBM)分别在水的氧化还原电势(-4.44、-5.67 eV)两侧,该能带结构有利于该材料在光催化析氢方面的应用。通过对MoX_(2)/MgPSe_(3)施加均一的双轴应力,发现双轴应变对MoX_(2)/MgPSe_(3)的带隙有明显的线性调控作用,线性调控作用在压变传感方面有应用价值。光吸收系数的计算发现,MoSSe/MgPSe_(3)在紫外光区域的吸收强度相比较单独的MgPSe_(3)和MoX_(2)有显著的提高,说明异质结对于改善材料的光学性能具有重要作用。展开更多
NaI(TI)探测器是典型的闪烁体辐射探测器,其探测过程涉及辐射能量沉积、可见光信号产生与输运、光电转换与信号处理等物理过程。首先利用蒙特卡罗方法、Birks公式及射线追迹程序,开展了射线粒子在晶体中转为可见光输出过程的计算分析,...NaI(TI)探测器是典型的闪烁体辐射探测器,其探测过程涉及辐射能量沉积、可见光信号产生与输运、光电转换与信号处理等物理过程。首先利用蒙特卡罗方法、Birks公式及射线追迹程序,开展了射线粒子在晶体中转为可见光输出过程的计算分析,并结合光电倍增管和信号处理电路的指标参数进行模拟仿真,得出探测器最终输出的脉冲电压信号参数;然后,在^(137)Cs源辐射场中采用Φ50 mm×50 mm NaI(TI)晶体耦合光电倍增管开展实验验证,实验测得探测器输出脉冲信号的上升/下降时间比为0.39,与模拟计算数值0.36相比,相差约7.69%,表明模拟计算模型的输出结果与实测数据基本符合,初步证明了论文的模拟计算模型及计算分析过程的正确性。论文提出的方法,对于深入理解辐射粒子激发的荧光可见光在晶体闪烁体中的传输规律和闪烁体辐射探测器系统的优化设计,具有一定参考意义。展开更多
文摘文章采用密度泛函理论方法,研究二维MoX_(2)/MgPSe_(3)(X=S、Se)异质结的电子结构和光学性能。能带结构和态密度分析发现,MoSe_(2)/MgPSe_(3)和MoSSe/MgPSe_(3)_Ⅱ具有显著的Ⅱ型能带结构,并且该异质结的导带底(conduction band minimum,CBM)和价带顶(valence band maximum,VBM)分别在水的氧化还原电势(-4.44、-5.67 eV)两侧,该能带结构有利于该材料在光催化析氢方面的应用。通过对MoX_(2)/MgPSe_(3)施加均一的双轴应力,发现双轴应变对MoX_(2)/MgPSe_(3)的带隙有明显的线性调控作用,线性调控作用在压变传感方面有应用价值。光吸收系数的计算发现,MoSSe/MgPSe_(3)在紫外光区域的吸收强度相比较单独的MgPSe_(3)和MoX_(2)有显著的提高,说明异质结对于改善材料的光学性能具有重要作用。
文摘NaI(TI)探测器是典型的闪烁体辐射探测器,其探测过程涉及辐射能量沉积、可见光信号产生与输运、光电转换与信号处理等物理过程。首先利用蒙特卡罗方法、Birks公式及射线追迹程序,开展了射线粒子在晶体中转为可见光输出过程的计算分析,并结合光电倍增管和信号处理电路的指标参数进行模拟仿真,得出探测器最终输出的脉冲电压信号参数;然后,在^(137)Cs源辐射场中采用Φ50 mm×50 mm NaI(TI)晶体耦合光电倍增管开展实验验证,实验测得探测器输出脉冲信号的上升/下降时间比为0.39,与模拟计算数值0.36相比,相差约7.69%,表明模拟计算模型的输出结果与实测数据基本符合,初步证明了论文的模拟计算模型及计算分析过程的正确性。论文提出的方法,对于深入理解辐射粒子激发的荧光可见光在晶体闪烁体中的传输规律和闪烁体辐射探测器系统的优化设计,具有一定参考意义。