基于Git的软件项目管理配置方法及应用实践

Git分布式特性和分支管理能力适用于大型软件项目,每个分支彼此独立,互不影响。为提高碳化硅外延设备控制系统的精度、实时性、稳定性,提出一种基于Git进行配置管理的方法。介绍Git的特点、环境配置和常用操作;简单说明配置管理的概念并建立配置管理环境;介绍基于Git进行配置管理的具体实践,包括分支管理和版本管理。使用Git进行配置管理,可有效解决代码冲突、事务并发、文档冗余等问题,实现对项目的高效管理,也可保证版本的可溯性,有针对性地解决源代码混乱的问题。结果表明:应用Git的配置管理方法充分利用了Git的优点,大大提高了碳化硅外延设备控制软件开发的效率和质量,为项目的成功提供了坚实的保障。

碳化硅外延设备干扰问题与解决方案

SiC外延设备工作过程中经常会遇到信号干扰的问题,会对生产造成不便,更严重的则会造成设备损毁从而危险人身安全。为此,从工程实践的角度出发,针对控制系统一般性干扰问题和SiC外延设备特殊性干扰问题展开分析。基于目前已有的抗干扰技术,从干扰源、干扰途径入手,系统性地对碳化硅外延设备研发中出现的干扰问题进行分析解决。选取具有特点的通讯干扰、视频信号干扰、模拟信号干扰等干扰问题进行分析;通过RS485隔离集线器、双绞屏蔽线、接地铜带、抗干扰磁环等,提升设备生产过程中的抗干扰性能;使用示波器、万用表等仪器进行检测。结果表明:采用所提方法能够明显改善信号质量,所提方案稳定、可靠,研究结果为SiC外延设备的研发与工作生产提供参考。

碳化硅外延设备控制系统的设计与实现

外延设备是碳化硅产业链的重要设备之一,设备的控制系统直接决定了设备的优劣。设计与实现了一套碳化硅外延设备控制系统,详细介绍了外延设备控制系统总体设计、软硬件架构和各分系统关键技术。通过高内聚、低耦合,高度的模块化设计,实现端口、零件到模块的逐级封装,软件架构清晰。系统以倍福PLC为主控制器,集成串口RS232/485通讯、DeviceNet等通讯方式,完成信号采集、温度控制、压力、流量、功率等PID控制。设备流量控制采用HORIBA的质量流量计(MFC)、温度控制采用MINI8温控仪、INFICON的薄膜规和压力计、JEL的真空机械臂等,实现了对碳化硅外延各项反应条件的精确调节和控制。控制系统操作界面友好、简单、可移植性强。经实际验证系统稳定、可靠,已生产出符合要求的外延片,达到工艺要求。

高温外延炉气体压力控制系统的实现

针对碳化硅外延工艺过程中压力控制范围大、控制精度高的要求,以及受到温度、气流变化大的影响,介绍了一种用于碳化硅高温外延工艺的高温外延炉腔内压力控制系统。通过分析碳化硅外延炉压力控制系统,提出了模糊自适应PID控制算法。在国产碳化硅外延设备上进行验证,实验结果表明压力控制系统具有较快的响应速度和较低的超调量,效果良好,能满足碳化硅高速外延需求。

碳化硅外延设备控制系统

碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等。该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统,设计了软件架构、流程、交互、控制零件等。经反复的工艺运行验证,该系统的最高测量温度达到1750℃;温控精度≤1℃;压力控制精度≤1 mbar;外延最高生长速率≥60 um/h;厚度均匀性≤2%;掺杂浓度均匀性≤5%;平均修复时间(MTTR)≤8 h,以上指标均达到设计要求。