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温度对Mn掺杂ZnO薄膜结构的影响
1
作者
介琼
李彤
张宇
《天津职业技术师范大学学报》
2013年第3期1-3,共3页
采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合X射线衍射谱和扫描电子显微镜,分析了不同温度条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示:ZnO和ZnO:Mn薄膜均呈现出显著的(002)定向生长特征,与ZnO的(002)衍射...
采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合X射线衍射谱和扫描电子显微镜,分析了不同温度条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示:ZnO和ZnO:Mn薄膜均呈现出显著的(002)定向生长特征,与ZnO的(002)衍射峰相比,相应条件下生长的ZnO:Mn(002)衍射峰均向小角度偏移,这主要是由于大离子半径的Mn2+替代了Zn2+的结果。同时随着衬底温度的升高,薄膜形貌得到明显改善,晶粒尺寸呈现减小趋势。
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关键词
ZNO
MN
X射线衍射谱
稀磁半导体
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职称材料
工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响
被引量:
3
2
作者
李彤
介琼
+2 位作者
张宇
倪晓昌
赵新为
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期711-715,共5页
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但...
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但是,随着气压的降低,对应于E2(High)振动模式的Raman散射峰以及与Mn掺杂相关的特征峰左移,说明在低工作气压时,ZnO:Mn薄膜内晶格缺陷更多,晶格更加无序。这一结论也得到了XRD和SEM结果的证实。
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关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
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职称材料
Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
被引量:
1
3
作者
李彤
介琼
+2 位作者
张宇
倪晓昌
赵新为
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期1167-1172,共6页
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随...
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。
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关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
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职称材料
NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展
被引量:
2
4
作者
李彤
介琼
+3 位作者
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2013年第1期136-139,共4页
综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在...
综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性。
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关键词
NIO
ZnO异质结薄膜太阳能电池
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职称材料
Mn掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
被引量:
2
5
作者
张宇
李彤
+2 位作者
王雅欣
赵新为
介琼
《天津职业技术师范大学学报》
2012年第2期34-37,共4页
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳,总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶...
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳,总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶格中Zn替代、缺陷、载流子调制等。
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关键词
稀磁半导体
ZNO
MN
磁性机理
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职称材料
Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性
6
作者
李彤
介琼
+3 位作者
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《凝聚态物理学进展》
2013年第1期21-25,共5页
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Rama...
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Raman散射峰进一步证实了这一点。将Mn掺杂进入ZnO薄膜后,在522 cm?1位置上显现出很强的Raman散射峰,这可能是与Mn掺杂后的晶格缺陷有关。随着Ar流量的增大,522 cm?1和A1(LO)模Raman散射峰均出现的红移趋势,可能是ZnO薄膜在引入Mn时导致的更多晶格缺陷所致。
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关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
下载PDF
职称材料
Co掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
7
作者
李彤
介琼
+2 位作者
张宇
王雅欣
倪晓昌
《天津职业技术师范大学学报》
2013年第1期13-16,共4页
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换...
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。
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关键词
稀磁半导体
ZNO
CO
磁性机理
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职称材料
Si/NiO异质pn结的光电性能研究
被引量:
3
8
作者
李彤
介琼
+2 位作者
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期42-45,共4页
利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转...
利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。
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关键词
NIO
PN结
磁控溅射
整流特性
原文传递
题名
温度对Mn掺杂ZnO薄膜结构的影响
1
作者
介琼
李彤
张宇
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
出处
《天津职业技术师范大学学报》
2013年第3期1-3,共3页
基金
天津市教委项目(20120710
20110711)
文摘
采用射频磁控溅射法在不同衬底温度下沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合X射线衍射谱和扫描电子显微镜,分析了不同温度条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示:ZnO和ZnO:Mn薄膜均呈现出显著的(002)定向生长特征,与ZnO的(002)衍射峰相比,相应条件下生长的ZnO:Mn(002)衍射峰均向小角度偏移,这主要是由于大离子半径的Mn2+替代了Zn2+的结果。同时随着衬底温度的升高,薄膜形貌得到明显改善,晶粒尺寸呈现减小趋势。
关键词
ZNO
MN
X射线衍射谱
稀磁半导体
Keywords
ZnO
Mn
X-ray diffraction spectroscopy
diluted magnetic semiconductors
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响
被引量:
3
2
作者
李彤
介琼
张宇
倪晓昌
赵新为
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
东京理科大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期711-715,共5页
基金
天津市教委(20120710
20110711)资助项目
文摘
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上沉积了一系列ZnO:Mn薄膜,结合Raman光谱、XRD衍射谱和SEM分析了工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响。Raman拟合光谱显示,在工作气压从1 Pa增加至4 Pa的过程中,ZnO:Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构。但是,随着气压的降低,对应于E2(High)振动模式的Raman散射峰以及与Mn掺杂相关的特征峰左移,说明在低工作气压时,ZnO:Mn薄膜内晶格缺陷更多,晶格更加无序。这一结论也得到了XRD和SEM结果的证实。
关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
Keywords
ZnO: Mn
Raman
diluted magnetic semiconductors
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
被引量:
1
3
作者
李彤
介琼
张宇
倪晓昌
赵新为
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
东京理科大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期1167-1172,共6页
基金
天津市教委项目(20120710
20110711)资助
文摘
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。
关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
Keywords
ZnO
Mn
Raman
diluted magnetic semiconductors
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展
被引量:
2
4
作者
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
东京理科大学物理系
出处
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2013年第1期136-139,共4页
基金
国家自然科学基金(11274028)
天津市教委项目(20120710
20110711)
文摘
综述了近年来国内外NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展,重点介绍了有无掺杂的NiO/ZnO薄膜太阳能电池的制备方法及电性能指标,并简要分析了该异质结薄膜太阳能电池存在的问题和未来发展动向,认为未来NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究应集中在通过选择掺杂元素以及引入中间层来提高电学特性。
关键词
NIO
ZnO异质结薄膜太阳能电池
Keywords
NiO/ZnO, heterojunction, thin film solar ceil
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
Mn掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
被引量:
2
5
作者
张宇
李彤
王雅欣
赵新为
介琼
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
出处
《天津职业技术师范大学学报》
2012年第2期34-37,共4页
基金
天津市教委资助项目(20110711)
文摘
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Mn掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。文章对不同方法及条件制备的Mn掺杂以及Mn与其它元素共掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了整理和归纳,总结发现,铁磁性可能源于样品的内禀性、晶格中Zn替代、缺陷、载流子调制等。
关键词
稀磁半导体
ZNO
MN
磁性机理
Keywords
DMSs
ZnO
Mn
magnetism theory
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性
6
作者
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
东京理科大学物理系
出处
《凝聚态物理学进展》
2013年第1期21-25,共5页
基金
天津市教委项目(20120710)
天津市教委项目(20110711)。
文摘
利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列ZnO和ZnO:Mn薄膜。结合Raman光谱和X射线衍射谱分析了不同Ar流量条件下的ZnO和ZnO:Mn薄膜的结构特性。结果显示,未掺杂的ZnO薄膜呈现出显著的(002)定向生长特征,出现在437 cm?1的Raman散射峰进一步证实了这一点。将Mn掺杂进入ZnO薄膜后,在522 cm?1位置上显现出很强的Raman散射峰,这可能是与Mn掺杂后的晶格缺陷有关。随着Ar流量的增大,522 cm?1和A1(LO)模Raman散射峰均出现的红移趋势,可能是ZnO薄膜在引入Mn时导致的更多晶格缺陷所致。
关键词
ZNO
MN
拉曼
稀磁半导体
分类号
O48 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
Co掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
7
作者
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
出处
《天津职业技术师范大学学报》
2013年第1期13-16,共4页
基金
天津市教委科研基金项目(20120710)
文摘
ZnO基稀磁半导体是目前研究的热门课题,其中关于Co掺杂ZnO的磁性研究有很多报道。本文对不同方法及条件制备的Co掺杂ZnO基稀磁半导体的磁性和相应机理进行了归纳总结,分析发现铁磁性可能源于载流子调制、晶格中的氧空位、杂质相、交换作用等。
关键词
稀磁半导体
ZNO
CO
磁性机理
Keywords
DMSs
ZnO
Co
magnetism theory
分类号
O472.5 [理学—半导体物理]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Si/NiO异质pn结的光电性能研究
被引量:
3
8
作者
李彤
介琼
王雅欣
倪晓昌
赵新为
机构
天津职业技术师范大学电子工程学院
东京理科大学物理系
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期42-45,共4页
基金
天津市教育委员会(20120710
20110711)资助项目
文摘
利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。
关键词
NIO
PN结
磁控溅射
整流特性
Keywords
NiO
pn junction
magnetron sputtering
rectifying property
分类号
TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB43 [一般工业技术]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度对Mn掺杂ZnO薄膜结构的影响
介琼
李彤
张宇
《天津职业技术师范大学学报》
2013
0
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职称材料
2
工作气压对ZnO:Mn薄膜结构特性的影响
李彤
介琼
张宇
倪晓昌
赵新为
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
3
下载PDF
职称材料
3
Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响
李彤
介琼
张宇
倪晓昌
赵新为
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
4
NiO/ZnO薄膜太阳能电池的研究进展
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《材料导报(纳米与新材料专辑)》
EI
2013
2
下载PDF
职称材料
5
Mn掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
张宇
李彤
王雅欣
赵新为
介琼
《天津职业技术师范大学学报》
2012
2
下载PDF
职称材料
6
Mn掺杂ZnO薄膜的Raman散射特性
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《凝聚态物理学进展》
2013
0
下载PDF
职称材料
7
Co掺杂ZnO基稀磁半导体材料磁性研究进展
李彤
介琼
张宇
王雅欣
倪晓昌
《天津职业技术师范大学学报》
2013
0
下载PDF
职称材料
8
Si/NiO异质pn结的光电性能研究
李彤
介琼
王雅欣
倪晓昌
赵新为
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
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