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一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法
1
作者
李赛
从密芳
+1 位作者
李科
杜寰
《现代电子技术》
2014年第9期134-137,共4页
介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内...
介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明,该匹配电路实现了预期功能,在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗,同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB,功率达到48.9 dBm,器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。
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关键词
内匹配电路
MOS电容
键合线
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职称材料
题名
一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法
1
作者
李赛
从密芳
李科
杜寰
机构
上海联星电子有限公司
中国科学院微电子研究所
出处
《现代电子技术》
2014年第9期134-137,共4页
基金
科技重大专项(2012ZX02502002)
文摘
介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明,该匹配电路实现了预期功能,在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗,同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB,功率达到48.9 dBm,器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。
关键词
内匹配电路
MOS电容
键合线
Keywords
RF-LDMOS
RF-LDMOS
internal-matching circuit
MOS capacitor
bonding wire
分类号
TN710.34 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法
李赛
从密芳
李科
杜寰
《现代电子技术》
2014
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