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808nm无铝大功率量子阱激光器 被引量:2
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作者 王立军 武胜利 +2 位作者 刘云 付德惠 刘育梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期360-362,共3页
报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度12... 报导了用低压(LP)-MOCVD方法研制出808nm无铝InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱分别限制异质结构大功率激光器(SCHSQW),器件外微分量子效率为65%,阈值电流密度400A/cm2,特征温度120℃,对于100μm条宽、1000μm腔长宽接触激光器,室温连续输出光功率达1瓦以上,并讨论了无铝大功率激光器的阈值、光谱等特性. 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱器件 无铝 大功率 MOCVD
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808nm InGaAsP/InGaP/GaAs激光器列阵
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作者 王立军 武胜利 +5 位作者 刘云 付德惠 宁永强 吴东江 刘星元 赵家民 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期152-154,共3页
研制出30个单元的InGaAsP/InGaP/GaAs分别限制双异质结单量子阱激光器列阵(SCHSQW),器件外微分量子效率达78%,发射波长808nm,准连续输出光功率达27W.
关键词 量子阱器件 激光器 列阵 铟镓砷 砷化镓
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聚合物微腔的研制及其特性分析
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作者 王立军 武胜利 +8 位作者 刘云 郑著宏 付德惠 吴东江 马东阁 王利祥 王岱珂 景遐斌 王佛松 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期254-256,共3页
采用BMPPVPVK的混合物作为有源介质,将其按一定比例溶于氯仿中,并旋涂在具有99.5%反射率的DBR上,其上蒸发300nm的银膜,形成了面发射型微腔结构.其中DBR为入射腔面,银膜为反射腔面,在激发波长337.1... 采用BMPPVPVK的混合物作为有源介质,将其按一定比例溶于氯仿中,并旋涂在具有99.5%反射率的DBR上,其上蒸发300nm的银膜,形成了面发射型微腔结构.其中DBR为入射腔面,银膜为反射腔面,在激发波长337.1nm,频率20Hz,脉宽10ns的氮分子激光器的泵浦下,光谱明显窄化,出现了460nm和530nm两个比较强的发光峰,主峰为460nm半宽度为7nm. 展开更多
关键词 面发射微腔 聚合物 激光器 微型谐振器 特性
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Alq/DCM薄膜中的放大自发发射 被引量:1
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作者 赵家民 王淑梅 +10 位作者 王立军 刘云 刘星元 宁永强 吴东江 武胜利 付德惠 金长清 王利祥 景遐斌 王佛松 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期71-73,共3页
Optically pumped stimulated emission behavior was demonstrated in a slab waveguide structure formed by substrate/organic film/air. The organic film was deposited by high vacuum (1×10 -3 Pa) co evaporating of 8 hy... Optically pumped stimulated emission behavior was demonstrated in a slab waveguide structure formed by substrate/organic film/air. The organic film was deposited by high vacuum (1×10 -3 Pa) co evaporating of 8 hydroxyquinolinato aluminum(Alq) and laser dye DCM. A wafer of quartz was used as the substrate. The thickness of the organic film was about 300nm, and the percentage of DCM was about 3%. The third harmonic output(355nm) of a Nd∶YAG laser was used as the excitation source. The pulse width was about 300ps. The repetition rate was 2Hz. The pump beam was focused onto the sample with a cylindrical lens ( f =10cm). The excitation area was a typical 10mm×0 2mm stripe. Detected from the side or the surface of the organic film, the fluorescence spectrum with the FWHM (the full width at half maximum) of about 110nm was achieved at excitation pulses energy of 0 1μJ. Increasing the excitation pulse energy to 4μJ, the FWHM of the spectrum detected from the edge of the sample reduced to 13nm with the peak at 620nm and the spectrum from the surface was still a broad band. The change of the emission spectra detected from the edge of the sample showed a clear threshold action and gain narrowing phenomenon when increasing the excitation intensity. The spectrally gain narrowing results from the amplified spontaneous emission (ASE) of the waveguide along the excitation stripe in the film. 展开更多
关键词 平板波导 放大自发发射 薄膜 Alp/DCM
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半导体激光器列阵与光纤的连接 被引量:1
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作者 刘育梅 王立军 +4 位作者 刘云 武胜利 付德惠 宁永强 刘洪举 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期283-285,共3页
半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便等许多优点,在泵浦固体激光器、材料加工、空间光通信、高速记录、激光诊断、激光治疗等方面有广泛的应用[1,2],同时也推动了半导体激光器列阵的研究.人们期望激光器... 半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、使用方便等许多优点,在泵浦固体激光器、材料加工、空间光通信、高速记录、激光诊断、激光治疗等方面有广泛的应用[1,2],同时也推动了半导体激光器列阵的研究.人们期望激光器列阵不仅具有大的功率输出,而且应用... 展开更多
关键词 半导体激光器 光纤 列阵 连接技术
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InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱激光器工作特性 被引量:1
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作者 刘育梅 王立军 +2 位作者 武胜利 刘云 付德惠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期105-108,共4页
利用低压-金属有机化学汽相沉积(LP-MOCVD)方法研制出InGaAsP/InGaP/GaAs单量子阱大功率激光器并分析了阈值电流密度、特征温度和外微分量子效率与腔长的关系.
关键词 半导体激光器 量子阱 铟镓砷 砷化镓
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量子阱微腔环型半导体激光器
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作者 武胜利 王立军 +4 位作者 宁永强 刘云 付德惠 林久龄 刘育梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期363-365,共3页
报道了用纳米制作技术,实现了InGaAs/InGaAsP环型微腔激光器.激光器的直径为3μm~20μm,环的宽度为0.4μm~3μm,环的厚度为190nm.其激射峰值波长为1403nm.
关键词 微腔激光器 量子阱 半导体激光器 纳米技术
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染料掺杂聚合物波导薄膜中的放大自发发射 被引量:1
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作者 赵家民 王立军 +10 位作者 刘云 刘星元 宁永强 吴东江 王淑梅 付德惠 武胜利 金长清 王利祥 景遐斌 王佛松 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 2000年第1期54-56,共3页
利用简单的平板波导结构 ,在掺有有机小分子激光染料 DCM的聚苯乙烯 (PS)薄膜中 ,采用 Nd:YAG的三倍频激光束作泵浦源 ,在细条状增益区内 ,在脉冲激发能量为 12μJ时 ,发生了增益窄化现象 ,在以 5 80 nm为中心处出现了光谱半高全宽 (FW... 利用简单的平板波导结构 ,在掺有有机小分子激光染料 DCM的聚苯乙烯 (PS)薄膜中 ,采用 Nd:YAG的三倍频激光束作泵浦源 ,在细条状增益区内 ,在脉冲激发能量为 12μJ时 ,发生了增益窄化现象 ,在以 5 80 nm为中心处出现了光谱半高全宽 (FWHM)只有 2 4nm的放大自发发射峰。 展开更多
关键词 平板波导 受激辐射 薄膜 染料掺杂聚合物
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