单片集成MEMS三轴磁场传感器

利用微机电系统(MEMS)工艺,设计并制造了一种基于法拉第电磁感应定律的单片集成MEMS三轴磁场传感器。将两种不同结构的器件通过MEMS工艺集成到单一芯片上,完成单片集成MEMS三轴磁场传感器的制作。测试结果表明:在大气环境下,2S梁耦合器件对Z轴磁场的开环灵敏度为7.435μV/mT,非线性度为0.436%。当其用于Z轴磁场测量时,其对于X轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,x)为49.749 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(z,y)为46.324 dB;在大气环境下,扭转框结构器件对X轴磁场的开环灵敏度为2.223μV/mT,非线性度为0.49%。当其用于X轴磁场测量时,其对于Z轴的交叉轴抑制比γ_(x,z)为44.687 dB,对Y轴磁场的交叉轴抑制比γ_(x,y)为41.138 dB。