CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响

利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收,增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用,从理论上预言CrO共掺GaN作为第3代太阳能电池的半导体材料的可行性.

裂缝长度对盾构隧道管片结构应力与变形的影响

以杭州地铁8号线盾构隧道某区间衬砌结构为工程实例,运用扩展有限元方法分析裂缝长度对盾构隧道结构应力与变形的影响。计算结果表明:地表最大沉降出现于盾构隧道开挖的轴线处,其值随地表离隧道轴线的水平距离增大而减小、随衬砌裂缝长度增大而增大;隧道衬砌内环顶部的环向位移随裂缝长度增大而减小,外环顶部的环向位移随裂缝长度增大而增大;衬砌内环拱底和拱腰处的环向应力随衬砌裂缝长度增大而增大,衬砌外环拱底和拱腰处的环向应力随衬砌裂缝长度增大而减小。该研究可为类似工程项目提供参考。