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MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管 被引量：7
1
作者 顾仁杰 沈川 +3 位作者 王伟强 付祥良 郭余英 陈路 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期136-140,共5页
对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN... 对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10 V反偏电压下,该器件电流增益可达335. 展开更多
关键词 碲镉汞 雪崩光电二极管 雪崩增益 击穿电压1
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