多孔SnO_2薄膜的导电和气敏特性

用RGTO方法制备多孔、颗粒状SnO2薄膜；根据SEM观察结果建立简单导电模型，并验证其导电机制主要是晶界导电；研究纯SnO2薄膜及掺杂SnO2薄膜对CO，乙醇等气体的气敏特性。掺Pt的薄膜对CO有很好的气敏响应；选择合适工作温度，可提高灵敏度改善选择性，用此种方法制得的薄膜具有良好的长期稳定性、非常短的响应和恢复时间等特点。

固态薄膜可重编程的模拟可变电阻存储器的制造和性能

介绍氧化钨基永久性的电可重编程的可变电阻器作为用于电子神经网络的模拟突触记忆联接器。该器件具有类晶体管的多层薄膜器件结构，它是依次由直流溅射和电子束蒸发工艺沉积到一个绝缘衬底，即衬底／Ni／WO3／SiO／Cr2O3／SiO／Al。用电压控制H+离子可逆地内插和去插到WO3薄膜来调制电阻。一个吸湿的Cr2O3薄膜用作H+离子源。该器件电阻可以特制和稳定在很宽的动态范围（约105～109Ω），并且编程速度受控制电压调制。讨论了该器件在响应速度、可逆性、稳定性和循环性方面的适应能力。

BSC──ISFET的特殊工艺研究

本文研究了背面引线离子敏感场效应器件Ｂａｃｋｓｉｄｅｃｏｎｔａｃｔｉｏｎｓｅｎｓｉｔｉｖｅｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ）的特殊工艺技术。重点阐述了双面光刻，各向异性腐蚀，深坑加工，腐蚀自停止等技术，实现了源漏电极从芯片背面引出，给出了扫描电镜分析照片。提出了一个合理，实用的腐蚀配方及条件：在７７℃恒温腐蚀溶液中（ＫＯＨ：ＩＰＡ：Ｈ２Ｏ＝２５．６：１６．５ｍｌ：６０ｍｌ），腐蚀约５小时３０分钟，腐蚀速率为５５μｍ／ｈ－６０μｍ／ｈ。得到了光滑、平整的坑底和坑壁，棱角分明斜度正常（５４．７°），重复性好，实验结果表明其接触电阻小于４Ω，达到ＢＳＣ－ＩＳＦＥＴ设计要求。