掺Fe^(3+)TiO_2薄膜型氧气传感器研究

讨论了TiO2对氧气的吸附过程及敏感机理,重点分析了掺铁对氧敏特性的影响。设计出了基于TiO2薄膜结构氧气传感器,通过硅工艺制作了Fe3+掺杂的TiO2薄膜型氧气传感器、并在400℃下对传感器的氧敏特性进行了测试。实验结果表明,该氧气传感器在高温条件下对氧气含量的变化有明显的响应,且具有低电阻的特性。

杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响

研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。

不同金属掺杂对TiO_2薄膜氧敏性能影响

该文讨论了TiO2对氧气的吸附过程及敏感机理、重点分析了掺铁和掺钨对氧敏特性的影响,并比较了两者的异同。制作了掺铁和掺钨的TiO2薄膜,并在400℃下对薄膜氧敏特性进行了测试。结果表明,TiO2具有低电阻的特点,在高温下能够有效感应氧气浓度的变化。