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InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器 被引量:15
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作者 刘洪 黄钊洪 +2 位作者 代贵华 黄志文 徐明六 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期19-21,共3页
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。 展开更多
关键词 共晶体薄膜 磁阻式齿轮转速传感器 锑化铟-铟
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