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InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器
被引量:
15
1
作者
刘洪
黄钊洪
+2 位作者
代贵华
黄志文
徐明六
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期19-21,共3页
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测...
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。
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关键词
共晶体薄膜
磁阻式齿轮转速传感器
锑化铟-铟
下载PDF
职称材料
题名
InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器
被引量:
15
1
作者
刘洪
黄钊洪
代贵华
黄志文
徐明六
机构
华南师范大学华南量子电子学研究所
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002年第5期19-21,共3页
基金
广东省自然科技基金重点项目 ( 96 30 5 8)
广东省高新技术产业发展资金 (成果孵化 )项目( 98FF0 1)
文摘
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。
关键词
共晶体薄膜
磁阻式齿轮转速传感器
锑化铟-铟
Keywords
InSb-In
magnetoresistor(MR)
gear velocity sensor(GVS)
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器
刘洪
黄钊洪
代贵华
黄志文
徐明六
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2002
15
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