分析维格列汀二甲双胍复方制剂、达格列净联合治疗新诊断2型糖尿病患者的疗效及安全性

分析达格列净的降糖作用机理及联合维格列汀二甲双胍复方制剂在新诊断T2DM治疗中的应用效益。方法 将我院收治的100例新诊断T2DM患者随机分为WE组50例和WE+D组50例,WE组应用维格列汀二甲双胍复方制剂治疗,WE+D组在WE组的基础上联合应用达格列净。对比两组临床疗效,并于用药前后分别检测血糖指标、胰岛功能指标,观察不良反应情况。结果 WE+D组共92%的患者获得有效治疗,高于WE组的78%(P<0.05)。治疗后,WE+D组患者三项血糖指标FBG、2hPG、HbAlc均低于WE组(P<0.05),Homa-IS、HOMA-β较WE组高(P<0.05),Homa-IR较WE组低(P<0.05)。在不良反应率上,WE+D组、WE组依次为8%、6%,P>0.05,且均表现轻微。结论 达格列净可发挥协同降糖作用,并利于改善胰岛功能,与维格列汀二甲双胍复方制剂联合应用时可有效提高新诊断T2DM患者的血糖控制效果,且药物安全性好。

SiC单晶生长初期表面台阶及微管特性

晶体生长初期成核阶段的籽晶表面变化对后续晶体生长质量具有重要影响。采用光学显微镜对SiC生长初期的表面和微管形貌进行观察。在8×10^(4)Pa、1800-2100℃生长条件下,籽晶表面出现了原子迁移产生的台阶。同时发现微管会严重干扰正常台阶流的运动,并且微管处会形成一个圆形凹坑。在2×10^(4)Pa、2150~2300℃生长条件下,发现籽晶表面中心已经形成了多个SiC晶核,籽晶边缘附近的部分微管已经产生明显应力区,且应力主要在紧贴微管并朝向边缘的区域,证明了台阶流是由中心向边缘移动的。此外,对加工后的衬底表面进行AFM观察,发现其表面同样存在取向不同的台阶,这可能与晶体生长初期的台阶形貌有关。