基于集对及熵权的垃圾填埋场选址模型研究

应用集对分析及熵权系数理论,建立城市垃圾填埋场选址评价的递阶层次结构,并针对填埋场适宜性评价具有多目标性和不确定性的特点,引入集对分析得出相应的对立度,应用熵权系数的方法确定填埋场适宜性评价指标的权重,在此基础上构建垃圾填埋场选址适宜性评价模型,进行垃圾填埋场最佳场址的选择。

离子束刻蚀过程中的二次作用——溅出靶原子的重新淀积

离子束刻蚀是近年来发展起来的微细加工工艺。由于它的超精细加工能力等特点,已在微电子技术、光子技术,表面科学、应用声学、材料科学和真空技术等领域中得到广泛的应用。本文采用的束流密度为0.5(mA·cm^(-2)),能量分别为600eV 和1100eV 垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅片(111)面上宽度分别为200、80,30、10、8(μm)的沟槽进行刻蚀,用扫描电子显微镜拍摄记录不同时刻的沟槽台阶形貌。考虑到溅出的靶原子在空间的各种不同分布,建立了重新淀积理论,并对实验结果作了完满的解释。

衬底偏压对膜表面层成分的影响

本文就溅射镀膜中,衬底偏压对膜表面层成份的影响作了定性分析。给出了在不同偏压下氧化铟锡(简称ITO)膜表面成份的俄歇探针分析结果,X射线衍射结果以及扫描电镜能谱和观察结果,从而得出衬底在加偏压0～100伏之间时,有利用提高膜的性能的结论.

蒸发镀膜机改制平面磁控溅射镀膜机的研制

1 磁控溅射机理为了克服二极溅射淀积速率低及基片温度高两大缺点,笔者在蒸发镀膜机二极靶的后面加适当形状的磁铁,使其在靶面形成水平磁场。这样,处于辉光放电阴极区的电子,同时受到电场力和洛仑磁力作用,作旋轮线运动,电子运动路径大大增加,碰撞电离机会增多,

衬底偏压和退火对ITO膜结构和成分的影响

ＩＴＯ膜的结构直接决定其光电性质，因而对其结构的研究就显得极其重要。本文报 道了不同衬底偏压和不同退火温度对ＩＴＯ膜结构的影响。结果表明，一定负偏压有助 于（２２２）晶面择优生长，一定退火温度有助于（６２２）晶面择优生长。退火与否，对膜中 Ｉｎ、Ｓｎ含量影响不大。

中国大型电力企业碳资产管理路线初探

电力行业是中国温室气体的排放大户,在全球以排放交易为减排手段的大趋势下,电力排放将是一笔巨大的资产。在这种背景下,中国大型电力企业如何对自身的碳资产进行管理,走什么样的管理路线,会对中国大型电力企业的未来产生重大的影响。通过分析中国大型电力企业碳资产管理的可行性与必要性,碳资产管理的实施路线,2012年前的发展战略,综合分析中国大型电力企业碳资产管理近期、中期和远期的不同发展路线,以期对中国大型电力企业碳资产管理起到一定的推动作用。

基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响

本文就基体偏压和反应气体分压强对溅射导电膜电阻率的影响作了理论分析，得到 了理论公式及变化曲线，给出了用三极溅射制得的氧化铟锡（简称ＩＴＯ）透明导电膜的 电阻率随基体偏压和氧分压强变化的实验结果。并就理论曲线和实验曲线进行了比较。

亚太国家CDM项目国家主管部门运行管理现状及发展建议

通过对比目前亚太地区的7个主要发展中国家中国、缅甸、印度、印度尼西亚、老挝、菲律宾和泰国的CDM项目批准数量及领域(包括DNA和EB)、DNA的组织结构、审批流程和审批原则,分析其异同及存在的主要问题,并提出相关的建议,以便亚太国家能够相互学习先进的经验,更好的促进亚太地区的CDM项目开展。

薄膜测厚实验研究

<正> 用球坑法测量薄膜厚度的原理,文献[1]已有所叙述.其膜厚的表示式可写为:d=(D_2~2-D_1~2)/8R=[(x_1-x_4~2)-(x_2-x_3)~2]/8R,其中D_1,D_2分别表示小圆和大圆直径,x_1,x_2,x_3,x_4分别表示剖层圆环边缘在显微镜下的读数.运用上式测厚,需要考虑以下几个因素:首先,要设法避免始端情况,对于较薄和软膜,要使剖层清晰,存在两个困难,